XPS定性定量分析的原理及应用.pdf

XPS的定性和定量分析

刘英

XPS谱图中的谱峰：

1.基本的，总可观察到；

2.依赖于样品的物理和化学性质的峰。

一、XPS分析的基本概念

1.光电子峰的表示方法：

单个电子的原子能级在XPS谱中用

n、l、j表示Anlj

自旋轨道偶合分裂：内量子数（总角量子数）j

j＝l+s＝l1/2

2.电子结合能

E=h-E

bk

Eb=hν-Ek,sp-φsp

导电样品的能级示意图

3.化学位移

（1）定义：原子的内层电子结合能随

原子周围化学环境的变化而改变的

现象称为化学位移。

化学位移是XPS价态分析的基础。。

（2）影响化学位移的因素

A.化学位移和原子相结合的元素种类和数

目有关，即和所连原子的电负性有关。

B.和样品原子的价态有关。

二、XPS的谱图信息

1.XPS谱图中的主峰

每个元素最强、最特征的光电子峰，如1s,2p,

3d,4d,4f等，是XPS定性分析的依据。

除了s能级是单峰外，其它的p、d、f都分裂

为双峰。

自旋-轨道耦合分裂(SOS)

初态效应

电子自旋和它的轨道角动量之间存在磁相

互作用，称为自旋-轨道耦合（j-j耦合）。

总角动量j=|l+s|

自旋-轨道分裂能级的简并度=2j+1

（2j+1）/（2j+1）

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亚壳层lsj峰强度比

p11/21/2,3/21:2

d21/23/2,5/22:3

f31/25/2,7/23:4

A.l0，j=|l+s|=|l±1/2|

B..谱峰分裂间距

n相同，ΔE∝1/r3pdf

l相同，ΔE随原子序数Z的增加而增加

C.各分裂峰强度比为：

（2j+1）/（2j+1）

12

n相同，分裂间距pdf

光电子峰Eb分裂间距

Au4p1/2643eVΔE=96eV

Au4p3/2547eV

Au4d3/2364eV

ΔE=48eV

Au4d5/2316eV

Au4f5/290eV

ΔE=6eV

Au4f84eV

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XPS谱图中看不见B、C、N、O、F、Na、Mg的

p裂分谱线；

Al、Si、P、S、Cl等元素的p裂分间距很小，

只有使用单色器的谱仪才能看出。

过渡金属不仅有明显的裂分谱线，有的裂分

间距还因化学态而异。

如单质Ni的2p谱线