数字集成电路反相器的设计.ppt

第五章CMOS反相器的设计

5.1CMOS反相器的直流特性5.2CMOS反相器的直流噪声容限5.3CMOS反相器的瞬态特性5.4CMOS反相器的设计5.3CMOS反相器的瞬态特性CMOS反相器的泄漏电流5.4CMOS反相器的设计采用对称设计，使反相器中的NMOS晶体管和PMOS晶体管性能完全对称，即满足由于电子迁移率约为空穴迁移率的2倍，因此在取同样沟道长度情况下要求，在这种对称设计下，CMOS反相器有对称的直流电压传输特性曲线，有最大的直流噪声容限，即而且反相器的上升时间等于下降时间。在实际的工艺中往往造成NMOS晶体管和PMOS晶体管的阈值电压不完全相等。在阈值电压不完全相等时，可以通过调节和的设计值，来获得最佳的电路性能。为了获得好的直流特性，要求，由此可得到对管子设计参数的要求。为了获得较好的瞬态特性，希望上升时间和下降时间相等，这就要求5.4CMOS反相器的设计直流特性和瞬态特性的要求并不相同。另外，从直流特性看，为了有尽可能抖的变直流电压传输特性，希望和尽量大。但是从瞬态特性看，希望和减小，这样在一定的工作电压和不增大管子导电因子情况下，使驱动电流增大。由于直流设计的要求和瞬态设计的要求有矛盾，在实际设计时要根据需要有所侧重或折中。对集成电路来说，减小每个单元电路占有面积对提高集成度是非常关键的，因此在速度要求不高的情况下应以减小面积为主要目标，可以取CMOS反相器设计例如最终输出要驱动100pF负载电容，要求输出级上升和下降延迟时间不超过20ns。若工艺水平是根据若要求，则根据可以得到。类似可以设计出PMOS管的宽长比

CMOS反相器设计

5.5CMOS传输门一、NMOS传输门特点NMOS单管开关电路如图所示，1.当（接地）时，NMOS管截止（开关断开），输出。2.当（）时，NMOS管导通（开关合上），此时视的大小分成两种情况：第一章概论反相器版图及电路特点：Vin作为PMOS和NMOS的共栅极；Vout作为共漏极；VDD作为PMOS的源极和体端；GND作为NMOS的源极和体端CMOS反相器由一个增强型PMOS管和一个增强型NMOS管组成。5.1CMOS反相器的直流特性5.1CMOS反相器的直流特性5.1CMOS反相器的直流特性对称的电流方程电流方程如下：设Vtn=-Vtp5.1CMOS反相器的直流特性在直流情况下，反相器没有输出电流，总满足（1）（如ab段）在此范围内，NMOS管截止，PMOS管工作在线性区由此得到这就使输出高电平区，故CMOS反相器输出高电平等于电源电压如直流电压传输特性曲线中的ab段5.1CMOS反相器的直流特性（2）（如bc段）在此范围内，NMOS管导通，工作在饱和区，PMOS管仍工作在线性区，由可得到其中叫做CMOS反相器的比例因子，它是CMOS反相器的重要设计参数，在一定工艺条件下其决定于PMOS管和NMOS管的宽长比。5.1CMOS反相器的直流特性（3）（如cd段）在这个区域，NMOS管和PMOS管都处在饱和区，因此有由此得到这个输入电平使CMOS反相器输出发生显著变化的一个转折点，因此叫做反相器的转换电平，一般也叫做CMOS反相器的阈值电平，用表示，它也是对应于那点的电平。5.1CMOS反相器的直流特性（4）（如de段）在此区域内，NMOS管进入线性导通区，而PMOS管仍工作在饱和区，由