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GaN基LED新型结构的外延生长和高效LED芯片的研制的开题报告
摘要
GaN基LED具有高亮度、高效率、高稳定性和长寿命等优点,是未来照明和显示领域的重要光电器件之一。本文提出了一种新型的GaN基LED结构,通过优化外延生长工艺和器件制作工艺,实现了高效的LED芯片的制备。具体地,采用了分步外延生长工艺,通过二次生长控制外延层厚度和材料质量;优化了金属电极和漏电层的制作工艺,降低了器件内部的电阻和光损耗。在此基础上,我们成功地制备了一批高亮度、高效率和可靠性的GaN基LED样品。
关键词:GaN基LED;外延生长;器件制作;高效LED芯片;照明和显示
引言
GaN基LED具有优异的光电性能,是目前最为成熟的高亮度、高效率的LED器件。然而,传统的GaN基LED结构存在一些问题,如较大的电阻和光损耗、漏电等。针对这些问题,我们提出了一种新型的GaN基LED结构,通过优化外延生长工艺和器件制作工艺,实现了高效的LED芯片的制备。在本文中,我们将介绍这种新型结构的设计原理和制备方法,并对其性能进行评价。
方法和实验
1.外延生长工艺
我们采用了分步外延生长工艺,通过二次生长来控制外延层的厚度和材料质量。具体地,我们先在Sapphire衬底上进行了低温(LT)GaN生长,然后进行了高温(HT)GaN生长,使得GaN材料质量得到了提高。接下来,我们通过MOCVD法进行AlGaN和InGaN的生长,实现了p型和n型掺杂。最后进行了GaN外延层和p-GaN电极的二次生长,实现了器件结构的优化。
2.器件制作工艺
在器件制作方面,我们采用了干法蚀刻和电子束光刻工艺,制作了金属电极和漏电层。在电极制作方面,我们采用了Pt/Au电极,在漏电层制作方面,我们采用了GaN漏电层,并通过等离子体打磨技术实现了漏电层表面的光滑化和清洁化。最后,我们进行了芯片切割和包封,制备出了GaN基LED样品。
结果和分析
我们对制备的GaN基LED样品进行了性能测试。测试结果表明,该新型GaN基LED结构具有较大的发光强度和较高的发光效率,同时,器件漏电和电阻值也得到了明显的降低。这些优点使得本文提出的GaN基LED结构在照明和显示领域具有非常广阔的应用前景。
结论
本文提出了一种新型的GaN基LED结构,通过优化外延生长工艺和器件制作工艺,实现了高效的LED芯片的制备。实验结果表明,这种结构具有较大的发光强度和较高的发光效率,同时,器件漏电和电阻值也得到了明显的降低。我们相信,这种新型GaN基LED结构在照明和显示领域具有非常广阔的应用前景。
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