半导体物理复习资料 (1).docx

题型：选择10道、判断5道、名词解释5道、解答2道、作图2道、计算（4、5、7三章中选两道）2道

第一章

金刚石结构特征（Si、Ge）

◆每个原子周围都有四个最近邻的原子，这四个原子组成一个正四面体；

◆立方对称，两个面心立方晶格沿体对角线移动1/4对角线长度套构而成的复式格子；

◆立方顶角和面心上的原子与立方体内的4个原子不对等，每个晶胞包含8个原子；

◆配位数为4。

闪锌矿结构特征（GaAs,GaIn）

◆原子间依靠共价键结合，但有一定的离子键成分，III族原子和V族原子间有电负性差，原子之间结合的性质具有离子性，称为极性半导体。

◆闪锌矿型结构由两类不同原子（III族原子和V族原子）构成。其晶格为双原子复式晶格两类原子各自组成的

面心立方晶格，沿空间对角线彼此位移了四分之一空间对角线长度套构而成。

◆每个晶胞有四个III族原子和四个V族原子。

有效质量公式及意义

有效质量公式：

或者

有效质量的意义：有效质量实际上是包含了晶体周期势场作用的电子质量,它的引入使得晶体中电子准经典运动的加速度与外力直接联系起来了,?就像经典力学中牛顿第二定律一样,?这样便于我们处理外力作用下晶体电子的动力学问题。

什么是直接带隙、间接带隙半导体？

直接带隙：

①价带的极大值和导带的极小值都位于k空间的原点上②价带的电子跃迁到导带时，只要求能量的改变，而电子的准动量不发生变化--直接跃迁③直接禁带半导体一-GaAs,?GaN,ZnO

间接带隙：

价带的极大值或导带的极小值不位于k空间的原点上②价带的电子跃迁到导带时，不仅要求电子的能量要改变，电子的准动量也要改变---间接跃迁③间接禁带半导体Si,Ge,?SiC、

电子和空穴谁的质量大？

答案：电子的质量大

因为：导带电子主要分布在导带底部，导带底部电子的有效质量为正。价带空穴主要分布在价带顶部，价带顶部电子的有效质量为负

什么是施主杂质和受主杂质？

施主杂质：

在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷（或锑），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，磷原子的最外层有五个价电子，其中四个与相邻的半导体原子形成共价键，必定多出一个电子，这个电子几乎不受束缚，很容易被激发而成为自由电子，这样磷原子就成了不能移动的带正电的离子。

受主杂质：

在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼（或钢），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，硼原子的最外层有三个价电子，与相邻半导体原子形成共价键时，产生一个空穴。这个空穴可能吸引束缚电子来填补，使得硼原子成为不能移动的带负电的离子。

什么是杂质电离能、杂质补偿、本征激发

本征激发：价带电子获得能量跃迁进入导带成为导电电子的过程

杂质补偿：施主和受主杂质之间有相互抵消的作用

杂质电离能：使多余的价电子挣脱束缚成为异电电子所需要的能力

第三章

简并半导体统计方法：费米分布

非简并半导体统计方法：玻尔兹曼分布

费米统计律与玻尔兹曼统计律的主要差别：前者受泡利不相容原理的限制

什么是散射？散射主要有两种方式：一、电离杂质散射：二、晶格振动散射。这两个散射跟温度的关系，跟迁移率的关系？

①散射：载流子在半导体中运动时，便会不断的与热振动着的晶格原子或电离了的杂质离子发生作用，或者说发生碰撞，碰撞后载流子速度的大小及方向就发生改变

②1，当温度升高时，电离杂质散射的作用会减弱，载流子的迁移率会增加，导致电阻率随温度升高而下降，反之。

2，晶格振动散射的强度与温度有关，当温度升高时，晶格振动散射的作用会增强，载流子的迁移率会减小，导致电阻率随温度升高而增加，反之。

电阻率和电导率的关系？（在什么温度情况下电导率电阻率的大小）

电导率与电阻率成反比关系（倒数关系）

当温度增加，电阻率通常会增加，而电导率则会减小。反之。

第五章

爱因斯坦关系：

最有效的陷阱中心和最有效的复合中心是什么？

陷阱中心是指能够收容非平衡载流子的杂质能级，这种能级具有促进非平衡载流子被俘获并增加其寿命的作用，从而增加了从非平衡态回到平衡态的弛豫时间。

复合中心是可以促进电子-空穴对复合的台阶，这些位于禁带中的杂质和缺陷能级既可以俘获电子又能俘获空穴，从而降低非平衡载流子的寿命。因此，复合中心在控制半导体器件的工作性能上起着重要的作用。

什么是陷阱效应？

当半导体处于热平衡状态时，无论是施主、受主、复合中心或是任何其他的杂质能级上，都具有一定数目的电子，它们由平衡时的费米能级区分布函数所决定。实际上，能级中的电子是通过载流子的俘获和产生过程与载流子之间保持看￥衡的。当半导体处于非平衡态，出现非平衡载流子时，这种平衡遭到破坏，必然引起杂质能级上电子数目的改变。如果电子增加，说明能级具有收容部分非平衡电子的作用;若是电子减少，则可以看成能级具