数字集成电路-第3章.pptx

数字集成电路设计盐城工学院信息工程学院1

2第3章MOS晶体管金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)是MOS和数字CMOS集成电路的基本构成单元。MOS晶体管占用的硅面积相对较小，并且制造步骤少。MOS晶体管已成为大规模集成电路(LSI)和超大规模集成电路(VLSI)中应用最广泛的开关器件。本章主要讲述nMOS和pMOS器件的基本结构和电特性。nMOS管在实际的所有数字电路应用中用做基本开关器件，而pMOS管大多与nMOS管结合在一起应用于CMOS电路。本章首先详细分析基于MOSFET结构的MOS系统的基本电特性和物理特性。考察外部偏置条件对MOS系统中电荷分布和自由导电载流子的影响。接下来将详细讨论MOS管的电流-电压特性，包括小尺寸器件带来的物理限制和MOSFET中的各种二阶效应。注意，这些考虑对于使用小尺寸MOSFET器件构成的大规模数字电路的整体性能尤为重要。

3第3章MOS晶体管3.1金属-氧化物-半导体（MOS）结构3.2外部偏置下的MOS系统3.3MOS场效应管（MOSFET）的结构和作用3.4MOSFET的电流-电压特性3.5MOSFET的收缩和小尺寸效应3.6MOSFET电容

4考察图3.1所示的简单两端MOS结构的电特性。一个MOS结构形成一只电容，其中栅极和衬底作为两个电极，氧化层作为电介质。二氧化硅层的厚度通常在1.5?3.5nm之间。在半导体衬底中的载流子浓度和分布可由栅极和衬底之间的外加电压控制。对于在衬底中确立不同载流子浓度的偏置条件将对复杂MOSFET结构的工作条件提供有价值的参考。3.1金属-氧化物-半导体（MOS）结构

5首先考虑作为MOS电容的一个电极的半导体（Si)衬底的基本电特性。半导体中运动载流子的平均浓度服从浓度作用原理：3.1金属-氧化物-半导体（MOS）结构其中，n和p分别为电子和空穴的运动载流子的浓度，ni是温度T的函数，代表硅本征载流子浓度。在室温下，即T=300K时,ni约为1.45xl010cm-3。假设衬底均匀掺杂一种受主（如硼）原子，浓度为NA，P型衬底中平均电子和空穴浓度约为：掺杂浓度为NA，比本征载流子浓度ni大得多，上式中给出的本体电子和空穴浓度在远离表面（即半导体衬底和氧化层接触面）的区域是有效的。然而，表面条件对于MOS系统的电特性和工作状态非常重要，我们将对这些条件进行更详细的讨论。

图3.2为p型硅衬底能带图。硅的导带和价带的带隙约为1.1eV。在带隙内均衡费米能级的位置取决于硅衬底的掺杂类型和掺杂浓度。费米电势是温度和掺杂浓度的函数，其值取决于本征费米能级和费米能级F之差：3.1金属-氧化物-半导体（MOS）结构6

图3.3为MOS系统中三个分立部分的金属、氧化物和半导体层的能带图。3.1金属-氧化物-半导体（MOS）结构7

现在，把我们的注意力转向外加电压偏置下MOS结构的电特性。设衬底电压为0,令栅极电压为控制参数。根据的极性和幅值，可以观察到MOS系统的三个不同工作区：积聚区、耗尽区和反型区。3.2外部偏置下的MOS系统如果栅极外加负电压VG，则p型衬底的空穴被吸引到半导体-氧化层交界处。表面附近的多数载流子浓度比衬底的均衡空穴浓度大，这种情况叫做表面载流子积聚。注意，在这种情况下，氧化层内的电场指向栅极。负表面电势使得能带向表面弯曲。由于表面外加负的栅极偏置，表面空穴密度增大时，随着负电荷的电子进入衬底更深处，电子（少数载流子)浓度减少。8

现在，考虑栅极加一个小正栅极偏置电压VG的情况。因为衬底偏置为零，在这种情况下，如图3.6所示：3.2外部偏置下的MOS系统9氧化层内电场强度指向衬底。正的表面电势导致能带在表面附近向下弯曲。多数载流子（即衬底的空穴）由于正的栅极偏置电压作用被排斥返回到衬底，并且这些空穴会留下固定的带负电荷的受主离子。这样，就在表面附近形成了耗尽区。注意，在这种偏置条件下，半导体-氧化物交界区域几乎没有可运动的载流子。

?3.2外部偏置下的MOS系统用转移面电荷dQ乘以到表面的距离xd所需要的表面电势改变量可由泊松方程求出对上式沿垂直尺寸积分，得到耗尽区深度，进一步得到仅有固定受主离子组成的耗尽区电荷密度为：10后面我们会看到，这个耗尽区电荷量对分析阈值电压很重要。

下面考虑正栅极偏置的进一步增大。由于表面电势的增大，能带向下弯曲的程度也会增大。最后，中间的带隙能级尽变得比表面的费米能级还小，于是这个区域的衬底半导体变成n型。由于正栅极电势将额外的少数载流子（电子）从本底吸引到表面（见图3.7)，这一薄