第五章 存储系统及半导体存储器.docx

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您好根据您提供的内容,以下是根据您的描述生成的篇幅不超过150250个字的摘要标题第五章存储系统及半导体存储器内容芯片技术的进步已经深入到人类生活的方方面面,尤其是电子存储领域本文将重点介绍芯片中存储系统及半导体存储器的概念以及其基本功能综上所述,本篇文章从芯片技术的角度,为您详细介绍了芯片存储系统的构成及其核心功能包括存储器的类型分类用途以及与其他设备之间的交互方式等内容,希望对您有所帮助

第五章存储系统及半导体存储器

半导体存储器的分类与简介

CPU与存储器的连接微机中存储系统的结构

第一节:存储器简介一、存储器的分类

1.按存储介质分类

用半导体器件做成的存储器称为半导体存储器,按制造工艺可把半导体存储器分为双极型、CMOS型、HMOS型等类别。

用磁性材料做成的存储器称为磁表面存储器,如磁盘存储器和磁带存储器等。

用光学材料做成的存储器称为光表面存储器,如光盘存储器。第一节:存储器简介

一、存储器的分类

1.按存储介质分类

用半导体器件做成的存储器称为半导体存储器,按制造工艺可把半导体存储器分为双极型、CMOS型、HMOS型等类别。

用磁性材料做成的存储器称为磁表面存储器,如磁盘存储器和磁带存储器等。

用光学材料做成的存储器称为光表面存储器,如光盘存储器。

按在微机系统中的作用分类

主存储器:用来存放当前正在运行的程序和数据,位于主机内部。CPU通过指令可以直接访问主存储器。现代微机大多采用半导体存储器。

辅助存储器:用来存储CPU当前操作暂时用不到的程序或数据,位于主机外部,CPU不能直接用指令对外存储器进行读写操作。辅助存储器主要有磁带、磁盘和光盘等。

高速缓冲存储器Cache:是计算机系统中的一个高速小容量的存储器,位于CPU和内存之间。高速缓存主要由高速静态RAM组成。

按制造工艺分类

为了和CPU配合需要,要有一个兼有大容量、高速度和低成本的存储系统,应在系统结构设计上综合利用各种存储工艺的特长,产生了多层存储结构概念。如左图。从图中看出:由上而下分三个层次:高速缓冲、主内存、辅助存储器。容量逐级增大,速度逐级降低,成本越小。整体结构可看成层次:主存-辅助存储层次、高速缓冲器(Cache)-主存层次。1、主存-辅助存储层次特点:其速度接近于主存速度,容量接近于辅存容量。使用时可把主、辅看成统一整体,可用比主存实际容量大得多得逻辑地址编写程序。2、Cache-主存层次页共1特3点页:Cache-主存层次以弥和CPU与主存得速度差距。Cache速度能满足CPU要求,容量靠主存满足,因此,该层次解决了速度与成本得矛盾。半导体存储器可根据制造工艺的不同,分为双极型(如TTL)、MOS型等类存储器。双极型存储器集成度低,功耗大,价格高但速度快;MOS型存储器集成度高,功耗低,速度较慢但价格低。

为了和CPU配合需要,要有一个兼有大容量、高速度和低成本的存储系统,应在系统结构设计上综合利用各种存储工艺的特长,产生了多层存储结构概念。如左图。

从图中看出:由上而下分三个层次:高速缓冲、主内存、辅助存储器。容量逐级增大,速度逐级降低,成本越小。整体结构可看成层次:主存-辅助存储层次、高速缓冲器(Cache)

-主存层次。

1、主存-辅助存储层次

特点:其速度接近于主存速度,容量接近于辅存容量。使用时可把主、辅看成统一整体,可用比主存实际容量大得多得逻辑地址编写程序。

2、Cache-主存层次

页共1特3点页:Cache-主存层次以弥和CPU与主存得速度差距。Cache速度能满足CPU要求,容量靠主存满足,因此,该层次解决了速度与成本得矛盾。

CPU高速缓存

CPU

高速缓存

主存储器

I/O控制电路

辅存

磁盘

光盘

磁带

存储系统的多级层次结构 第1

第PAGE10页共13页

三、存储器主要性能指标

存储器的主要性能指标反映了计算机对它们的要求,计算机一般对存储系统提出如下性能指标要求:

存储容量

是指存储器可以存储的二进制信息总量。目前使用的存储容量达MB(兆字节)、GB(千兆字节)、TB(兆兆字节)或更大的存储空间。存储容量通常以字节(Byte)为单位来表示,各层次之间的换算关系为:

1KB=210B=1024B;1MB=220B=1024KB;

1GB=230B=1024MB;1TB=240B=1024GB

2. 存取速度

存储器的存取速度可以用存取时间和存取周期来衡量。

(1)存取时间:是指完成一次存储器读/写操作所需要的时间,故又称读写时间。具体是指从存储器接收到寻址地址开始,到取出或存入数据为止所需要的时间。

(2)存取周期:是连续进行读/写操作的所需的最小时间间隔。当CPU采用同步时

静态RAM(SRAM)半导体存储

静态RAM(SRAM)

导体存储

随机读写

存储器

RAM

动态RAM(DRAM)

掩膜ROM

可编程ROM(PROM)

只读

存储器

ROM

可擦除ROM(EPPROM)

SRAM

电D擦R除AROMM(E2PROM)

存储信息

触发器

电容

破坏性读出

需要刷新

不要

需要

送行列地址

同时送

分两次送

运行速度

集成度

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