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T形栅AlGaNGaNHEMT器件关键工艺研究的开题报告
1.研究背景和意义
GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)在高频功率放大器、超高速集成电路、计算机通信和雷达系统等领域具有广泛的应用前景。其中，T形栅AlGaNGaNHEMT器件结构具有高增益和低噪声系数等优点，成为当前的研究热点。
然而，T形栅AlGaNGaNHEMT器件在制备过程中存在复杂的工艺，并且材料的选择和处理等因素对器件性能有着重要的影响。因此，研究T形栅AlGaNGaNHEMT器件的关键工艺，对于提高器件性能、提高制备效率和降低成本，具有重要的意义。
2.研究内容和方法
本研究将围绕T形栅AlGaNGaNHEMT器件关键工艺展开研究。具体研究内容包括：
(1)AlGaN材料的选择与处理
(2)T形栅的设计和制备
(3)求解器部分制备工艺
(4)烘烤和电性能测试
本研究将采用多种手段进行研究，包括理论计算、仿真模拟、光电测试、电学测试等，以全面分析T形栅AlGaNGaNHEMT器件的性能表现及其制备工艺优化。
3.研究预期成果
本研究预期能够深入分析T形栅AlGaNGaNHEMT器件的制造工艺，找出影响器件性能的主要因素，并提出优化方案和结论。具体成果包括：
(1)T形栅AlGaNGaNHEMT器件的制造工艺体系
(2)关键工艺参数的优化方案和实验验证
(3)器件性能测试结果及优化分析
4.研究进度安排
第一年：AlGaN材料的选择和处理，T形栅的设计和制备，求解器部分制备工艺研究；
第二年：烘烤和电性能测试，优化工艺参数，性能表现和优化分析；
第三年：进一步优化工艺，成果论文撰写和成果上报。
5.参考文献
[1]SinghJ,RenFF,ChyiJI,etal.High-performancemillimeter-wavepowerAlGaN∕GaNHEMTswithoptimizedgatelengthandfield-platethickness[J].IEEETransactionsonElectronDevices,2008,55(10):2610-2618.
[2]LiuF,TangSH,ChenKJ,etal.HighmobilityAlGaN/GaNHEMTswithT-shapedgate:TheeffectofgatelocationonDCandRFperformances[J].Solid-StateElectronics,2021,180:108117.
[3]肖建军.GaN基高电子迁移率晶体管研究综述[J].贵州工程应用技术学院学报,2013,28(5):79-82.
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