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国内SiC碳化硅功率模块30强

碳化硅功率模块是使用碳化硅半导体作为开关的功率模块。

碳化硅功率模块用于转换电能，转换效率高—功率是指电流和电压的乘积。碳化硅半导体带隙宽，用于MOSFET中时，开关损耗极低，因此相较于普通的硅器件，可允许更高的开关频率。同时，与传统的硅半导体相比，碳化硅半导体能够在更高的温度和更高的电压下工作。

1、比亚迪半导体股份有限公司

国内领先的功率半导体IDM企业，晶圆片年产能将达百万级别。功率半导体产品中心作为第六事业部的核心产业之一，产品包括IGBT、SiCMOSFET、二极管和电源IC等产品，已形成包含芯片设计、晶圆制造、模块封装与测试、系统级应用测试的完整产业链。

比亚迪SiC功率器件包含单管和功率模组两种封装形式。单管产品应用于新能源汽车DC-DC转换模组及AC-DC双向逆变模组；模块产品应用于新能源汽车使电机驱动控制器体积大幅缩小，整车性能在现有基础上大幅提升。

规格:750V/1200V亮点:车用模块设计，低寄生电感设计，高可靠性，损耗低，SiC芯片应用（汉车型）

双面银烧结SiC模块

规格:1200V，875A

亮点:采用SiCMOSFET芯片，双面烧结与全塑封设计，具备高功率密度低高生电感和低内阻，最高工作结温175°C

比亚迪已在碳化硅方面取得重大技术突破，比亚迪汉、唐四驱等旗舰车型上已大批使用碳化硅模块。

BYDe-Platform3.0采用碳化硅模块，车型包括海豹的长续航以及四驱版车型

2、株洲中车时代电气股份有限公司

株洲中车时代电气股份有限公司是中国中车旗下股份制企业，其前身及母公司——中车株洲电力机车研究所有限公司创立于1959年。

在功率半导体器件领域，时代电气建有6英寸双极器件、8英寸IGBT和6英寸碳化硅的产业化基地，拥有芯片、模块、组件及应用的全套自主技术，全系列高可靠性IGBT产品打破了轨道交通和特高压输电核心器件由国外企业垄断的局面。

2022年4月控股子公司株洲中车时代半导体有限公司拟投资4.62亿元进行碳化硅芯片生产线技术能力提升建设项目，项目建设工期24个月。项目建成达产后，将现有平面栅SiCMOSFET芯片技术能力提升到满足沟槽栅SiCMOSFET芯片研发能力，将现有4英寸SiC芯片线提升到6英寸，将现有4英寸SiC芯片线年10000片/年的能力提升到6英寸SiC芯片线25000片/年。

采用中车第二代SiC芯片，具有正温度系数，高浪涌能力等特点。

3、嘉兴斯达半导体股份有限公司（603290）

嘉兴斯达半导体股份有限公司成立于2005年4月，是一家专业从事功率半导体芯片和模块尤其是IGBT芯片和模块研发、生产和销售服务的国家级高新技术企业。

斯达半导体主要产品为功率半导体元器件，包括IGBT、MOSFET、IPM、FRD、SiC等等。

2022年，公司车规级产品在海外市场取得进一步突破，公司车规级SiC模块开始在海外市场小批量供货。公司应用于乘用车主控制器的车规级SiCMOSFET模块开始大批量装车应用，同时公司新增多个使用车规级SiCMOSFET模块的800V系统的主电机控制器项目定点，将对公司2024-2030年主控制器用车规级SiCMOSFET模块销售增长提供持续推动力。

4、广东芯聚能半导体有限公司

广东芯聚能半导体有限公司成立于2018年，主营业务为碳化硅基和硅基功率半导体器件及模块的研发、设计、封装、测试和销售。

芯聚能半导体未来重点发展市场竞争优势显著的车规级SiCMOSFET功率模块和定制化模块及分立器件，并进一步开发用于光伏、风能、储能、IDC等符合国家“碳达峰”“碳中和”目标和“新基建”方向的工业级SiC功率器件及模块。

AccoPackDrive(APD)系列专为新能源电动车主驱逆变器应用开发的三相桥结构(6-in-1)，车规级模块产品。模块采用了业界领先的宽禁带半导体：碳化硅(SiC)MOSFET芯片和先进的银烧结(Ag-Sintering)封装工艺，充分满足新能源电动车主驱应用对高功率密度、高可靠性的需求。

AccoPackDrive(APD)系列

2022年，芯聚能APD系列1200V2mΩ三相全桥SiC-MOSFET模块产品，已搭载主驱逆变器上车超过10000台，实现了规模化量产，交付给极氪威睿电动技术有限公司，搭载到吉利与梅赛德斯奔驰联合品牌——smart精灵#1纯电动SUV和极氪009纯电动MPV的主驱逆变器。

2023年2月20-21日，极氪新能源“优秀质量奖”。

5、南京银茂微电子制造有限公司

南京银茂微电子制造有限公司(以下简称“南京银茂微电子”)于2007年11月在中国江苏省南京市正式注册成立。南京银茂微电子专注于IGBT模块、MOSFET模块、SiC和GaN器件的研发和制造。

产品广泛应用