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InGaAs(Sb)GaAs异变低维材料长波长激光器的开题报告

1.研究背景和意义

长波长激光器在光通信、医疗、环境监测等领域具有重要应用价值。然而，传统的材料体系（如InP、GaAs等）在长波长区域内存在较大的吸收和自发发射，从而导致长波长激光器性能下降。因此，研究并制备异变低维材料长波长激光器具有重要的科学意义和应用价值。

2.研究内容和方法

本文将采用分子束外延技术（MBE）制备InGaAs(Sb)GaAs异变低维材料，并研究其结构、光学、电学性质。在此基础上，设计并制备长波长激光器器件，并进行性能测试和优化。

3.预期成果及意义

本文的研究成果有望实现长波长激光器性能的显著提高，提供一种新型材料体系用于激光器器件制备，同时有望在光通信、医疗、环境监测等领域有广泛应用前景。

4.研究进度安排

第一年：制备InGaAs(Sb)GaAs异变低维材料，研究其结构、光学、电学特性

第二年：制备长波长激光器器件，进行性能测试和优化

第三年：完善并总结研究成果，准备论文发表和申请专利。

5.参考文献

[1]Y.Ma,etal.(2013).InP-basedInGaAs(Sb)quantum-welllasersforlong-wavelengthemissionbeyond2μm.JournalofAppliedPhysics,113(11),113106.

[2]Y.Zhang,etal.(2019).Emissionwavelengthtuningupto7.35μmbyInGaAs(Sb)quantumwellstructureonGaAssubstrate.JournalofAppliedPhysics,125(17),173101.

[3]S.Dong,etal.(2019).InGaAs/GaAsSbquantumwellsenabledlong-waveinfraredoptoelectronicsonsilicon.JournalofAppliedPhysics,126(5),054504.