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第1章常用半导体器件

自测题

一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。(√)(2)因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。(×)

PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。(√)

处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。(×)

结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证

其R 大的特点。(√)

GS

若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。(×)

二、选择正确答案填入空内。

PN结加正向电压时，空间电荷区将 A 。

A.变窄 B.基本不变 C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿

当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。

前者反偏、后者也反偏 B.前者正偏、后者反偏 C.前者正偏、后者也正偏

UGS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A、C 。

结型管 B.增强型MOS管 C.耗尽型MOS管

三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD=0.7V。

图T1.3

解：UO1=1.3V, UO2=0V, UO3=-1.3V, UO4=2V, UO5=1.3V, UO6=-2V。

Z Zmin四、已知稳压管的稳压值U=6V，稳定电流的最小值I =5mA。求图Tl.4所示电路中UO1和UO2

Z Zmin

(b)

图T1.4

解：左图中稳压管工作在击穿状态，故UO1=6V。右图中稳压管没有击穿，故UO2=5V。

V五、电路如图T1.5所示，

V

CC

试问：

(1)Rb=50k?时，Uo=?

=15V，?=100，U

BE=0.7V。

若T临界饱和，则Rb=?

解：(1)I

B

?VBB?UBE?26?A，R

b

I ??I ?2.6mA,

C B

U ?V

O CC

IR

VC c

V

?2V。 图T1.5

∵I

CS

? CC

?UBE?2.86mA，I

R BS

c

?I /??28.6?A

CS

∴R ?

b

V ?U

BB

I

BE?45.5k?

BS

六、测得某放大电路中三个MOS管的三个电极的电位如表Tl.6所示，它们的开启电压也在表中。试分析各管的工作状态（截止区、恒流区、可变电阻区），并填入表内。

表T1.6

管号 UGS(th)/V

US/V

UG/V

UD/V

工作状态

T1

4

-5

1

3

恒流区

T2

-4

3

3

10

截止区

2

T3 -4 6 0 5 可变电阻区解：因为三只管子均有开启电压，所以它们均为增强型MOS管。根据表中所示

各极电位可判断出它们各自的工作状态，如表Tl.6最后一栏所示。

习题

选择合适答案填入空内。

在本征半导体中加入(A)元素可形成N型半导体，加入(C)元素可形成P型半导体。

A.五价 B.四价 C.三价(2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A)。

A.增大 B.不变 C.减小

工作在放大区的某三极管，如果当IB从12uA增大到22uA时，IC从lmA变为

2mA，那么它的β约为(C)。

A.83 B.91 C.100

当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将(A)。

A.增大； B.不变； C.减小

电路如图P1.2所示，已知u

i

?10sin?t(V)，试画出u

i

与u的波形。设二极

o

管导通电压可忽略不计。

图P1.2 解图P1.2

解：u与u的波形如解图Pl.2所示。

i o

电路如图P1.3所示，已知u ?5sin?t(V)，二极管导通电压U=0.7V。试画

i D

出u与u的波形图，并标出幅值。

i o

3

图P1.3 解图P1.3

解：波形如解图Pl.3所示。

电路如图P1.4所示,二极管导通电压UD=0.7V,常温下UT?26mV，电容C对交流信号可视为短路；u为正弦波，有效值为10mV。试问二极管中流过的交流电流

i

的有效值为多少？

解：二极管的直流电流

I ?(V?U )/R?2.6mA

D D

其动态电阻:

r ?U /I

D T D

?10? 图P1.4

故动态电流的有效值：I

d

?U/r

i D

?1mA

现有两只稳压管，稳压值分别是6V和8V，正