第九章金属和半导体的接触.ppt

MIS太阳能电池**金属和半导体的接触1.金属和半导体的功函数金属中的电子绝大多数所处的能级都低于孤立电子能级。金属功函数的定义:真空中静止电子的能量E0与金属的EF能量之差，即上式表示一个起始能量等于费米能级的电子，由金属内部逸出到真空中所需要的最小值。金属中的电子势阱EFWm越大,金属对电子的束缚越强在半导体中，导带底EC和价带顶EV一般都比E0低几个电子伏特。半导体功函数的定义:真空中静止电子的能量E0与半导体的EF能量之差，即Ws与杂质浓度有关E0ECEFEV?Ws电子的亲合能2.接触电势差Ev?Ws(a)接触前?（b）紧密接触?半导体表面有空间电荷区?空间电荷区内有电场?电场造成能带弯曲E+_因表面势Vs0?能带向上弯曲qVD接触电势差一部分降落在空间电荷区,另一部分降落在金属和半导体表面之间若D?原子间距,电子可自由穿过间隙,Vms?0,则接触电势差大部分降落在空间电荷区（c）忽略间隙qVD半导体一边的势垒高度金属一边的势垒高度?半导体表面形成一个正的空间电荷区?电场方向由体内指向表面(Vs0)?半导体表面电子的能量高于体内的，能带向上弯曲，即形成表面势垒当金属与n型半导体接触WmWs在势垒区中，空间电荷主要由电离施主形成，电子浓度要比体内小得多，因此它是一个高阻的区域，常称为阻挡层。WmWs当金属与n型半导体接触?半导体表面形成一个负的空间电荷区?电场方向由表面指向体内(Vs0)?半导体表面电子的能量低于体内的，能带向下弯曲在空间电荷区中，电子浓度要比体内大得多，因此它是一个高电导的区域，称为反阻挡层。EcEvEFWs-Wm?-Wm金属和n型半导体接触能带图(WmWs)反阻挡层薄,高电导,对接触电阻影响小能带向下弯曲,造成空穴的势垒,形成p型阻挡层当金属与p型半导体接触能带向上弯曲,形成p型反阻挡层Wm?EcEvEcEv金属和p型半导体接触能带图(a)(b)(a)p型阻挡层(WmWs)(b)p型反阻挡层(WmWs)形成n型和p型阻挡层的条件WmWsWmWsn型p型阻挡层反阻挡层阻挡层反阻挡层计算超越势垒的载流子数目（电流）就是热电子发射理论。3.热电子发射理论N型阻挡层很薄时:?电子的平均自由程远大于势垒宽度，扩散理论不再适用.?电子在势垒区的碰撞可忽略，势垒高度起作用以n型阻挡层为例，且假定势垒高度qVD电子从金属到半导体所面临的势垒高度不随外加电压变化。从金属到半导体的电子流所形成的电流密度Jm?s是个常量，它应与热平衡条件下，即V=0时的Js?m大小相等，方向相反。因此，有效理查逊常数热电子向真空发射的有效理查逊常数当加正向偏压时，由上式得到总电流密度为：