GOFORD-3415A深圳恒锐丰科技14.pdfVIP

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  • 2024-05-29 发布于广东
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3415A

P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description

The3415Ausesadvancedtrenchtechnologytoprovide

excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide

varietyofapplications.

GeneralFeatures

lVDS-20V

lI(atV-10V)-4A

DGS

lRDS(ON)(atVGS-4.5V)35mΩ

lRDS(ON)(atVGS-2.5V)45mΩ

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