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GOFORD-2301H深圳恒锐丰科技9.pdfVIP

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  • 2024-05-29 发布于广东
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GOFORD-2301H深圳恒锐丰科技9.pdf

    2301H

    P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

    Description

    The2301Husesadvancedtrenchtechnologytoprovide

    excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide

    varietyofapplications.

    GeneralFeatures

    lVDS-30V

    lI(atV-10V)-2.8A

    DGS

    lRDS(ON)(atVGS-10V)75mΩ

    lRDS(ON)(atVGS-4.5V)105mΩ

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