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GOFORD-G1NP02LLE深圳恒锐丰科技64.pdfVIP

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  • 2024-05-29 发布于广东
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GOFORD-G1NP02LLE深圳恒锐丰科技64.pdf

    G1NP02LLE

    NandPChannelEnhancementModePowerMOSFET

    Description

    TheG1NP02LLEusesadvancedtrenchtechnologyto

    provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin

    awidevarietyofapplications.

    GeneralFeatures

    lNMOS

    lVDS20V

    lI(atV10V)1.3A

    DGS

    lRDS(ON)(atVGS4.5V)210mΩ

    lRDS(ON)(atVGS2.5V)270mΩ

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