GOFORD-3401深圳恒锐丰科技13.pdfVIP

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  • 2024-05-29 发布于广东
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3401

P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description

The3401usesadvancedtrenchtechnologytoprovide

excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide

varietyofapplications.

GeneralFeatures

lVDS-30V

lI(atV-10V)-4.2A

DGS

lRDS(ON)(atVGS-10V)55mΩ

lRDS(ON)(atVGS-4.5V)69mΩ

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