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GOFORD-2301深圳恒锐丰科技8.pdfVIP

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  • 2024-05-29 发布于广东
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GOFORD-2301深圳恒锐丰科技8.pdf

    2301

    P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

    Description

    The2301usesadvancedtrenchtechnologytoprovide

    excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide

    varietyofapplications.

    GeneralFeatures

    lVDS-20V

    lI(atV-10V)-3A

    DGS

    lRDS(ON)(atVGS-4.5V)56mΩ

    lRDS(ON)(atVGS-2.5V)80mΩ

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