GOFORD-2302深圳恒锐丰科技10.pdfVIP

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  • 2024-05-29 发布于广东
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2302

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description

The2302usesadvancedtrenchtechnologytoprovide

excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide

varietyofapplications.

GeneralFeatures

Schematicdiagram

⚫VDS20V

⚫ID(atVGS=10V)4.3A

⚫RDS(ON)(atVGS=4.5V)27mΩ

⚫RDS(ON)

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