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GOFORD-G06N02H深圳恒锐丰科技30.pdfVIP

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  • 2024-05-29 发布于广东
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GOFORD-G06N02H深圳恒锐丰科技30.pdf

    GOFORDG06N02H

    N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

    Description

    TheG06N02Husesadvancedtrenchtechnologytoprovide

    excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide

    varietyofapplications.

    GeneralFeatures

    Schematicdiagram

    ⚫VDS20V

    ⚫ID(atVGS=10V)6A

    ⚫RDS(ON)(atVGS=4.5V)14.3mΩ

    ⚫RDS(ON)(atVGS=

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