ZnO基材料的择优取向生长及异质结界面能带结构研究的开题报告.docxVIP

ZnO基材料的择优取向生长及异质结界面能带结构研究的开题报告

一、研究背景及研究意义：

氧化锌（ZnO）作为一种重要的半导体材料，在光电子器件、生物医学、环保等领域中得到广泛应用。而ZnO的物理性质与结构的差异往往取决于其生长方向。因此，对于ZnO基材料的择优取向生长及异质结界面能带结构的研究具有重要的科学意义和应用价值。

同时，ZnO基材料与其他半导体材料之间的异质结界面能带结构对于光电子器件性能具有关键影响。因此，研究ZnO基材料的择优取向生长及异质结界面能带结构，对于提高光电子器件的性能，具有重要的指导意义和实践价值。

二、研究内容：

本课题拟通过以下研究内容实现：

1.基于不同生长方向制备ZnO晶体，并比较它们的物理性质和结构特征。

2.通过外延生长等方法，制备ZnO与其他半导体材料之间的异质结，并使用X射线能谱及本征电子谱等技术手段研究异质结界面能带结构。

3.探究ZnO基材料择优取向生长及异质结界面能带结构对光电子器件的性能影响，包括发光二极管、太阳电池等器件的性能表现。

三、研究方法和技术路线：

本课题主要采用以下研究方法和技术路线：

1.采用热解法、溶胶凝胶法等不同方法，制备不同取向的ZnO晶体。

2.采用反应蒸发法、分子束外延法等方法，制备ZnO与其他半导体材料之间的异质结。

3.利用X射线能谱、本征电子谱等技术手段，对制备的样品进行表征及能带结构分析。

4.利用物理测试手段，研究不同取向的ZnO晶体及异质结的物理性质及光电性能。

四、研究预期成果：

通过针对ZnO基材料的择优取向生长及异质结界面能带结构的研究，本课题将有望实现以下科学目标和预期成果：

1.建立制备不同取向ZnO晶体的有效方法，并探究不同生长方向的ZnO晶体结构和性质的差异。

2.探究ZnO基材料与其他半导体材料之间的异质结界面能带结构，为光电子器件性能的优化提供理论依据。

3.研究ZnO基材料择优取向生长及异质结界面能带结构对光电子器件的性能影响，为新型光电子器件的设计与生产提供重要的参考。

四、参考文献：

1.YanJ,WeiX,HuangY,etal.EnhancedUVphotoluminescencefromZnOfilmswithdominant(0001)orientation.JournalofAppliedPhysics,2011,110(2):023105.

2.LiT,LuoS,ChuM,etal.GrowthandcharacterizationsofZnOfilmswithdifferentorientations.JournalofCrystalGrowth,2018,499:82-91.

3.WangL,ChenR,MaZ,etal.StudyontheinterfacepropertiesofZnO/CdSthinfilmsolarcell.JournalofAlloysandCompounds,2016,677:181-186.

4.FangG,ShenW,YeM,etal.InvestigationofthevalencebandstructureofGa-dopedZnOthinfilmsbytwo-photonphotoemissionspectroscopy.JournalofPhysicsD:AppliedPhysics,2017,50(13):135401.