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GeMOS界面钝化与MOSFET器件制备研究开题报告
一、研究背景及意义
钝化层是指在金属表面上形成的一层不溶于化学溶剂，难以被化学反应破坏的薄膜，它可以防止金属表面被氧化、腐蚀，提高金属的耐腐蚀性和稳定性。在半导体器件制备过程中，钝化层被广泛应用于MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管）器件的制备中。MOSFET器件是现代电子器件中最重要的一类半导体器件之一，具有低功耗、高噪声抑制、高电压容忍、温度稳定性好和可重复性良好等优点，已广泛应用于计算机、移动通信、能量管理等领域。因此，研究MOSFET器件制备中钝化层的特性及制备工艺具有重要意义。
二、研究内容及方法
本研究计划从以下两个方面进行研究：
1、GeMOS界面钝化层制备及性质研究
建立GeMOS界面钝化层的制备工艺，分别采用电镀、溅射和离子束刻蚀等方法进行金属层沉积，比较不同工艺条件下GeMOS界面的界面特性、介电常数和漏电流等性质差异。
2、MOSFET器件制备工艺优化
根据GeMOS界面的性质，结合不同的工艺条件对MOSFET器件的制备进行优化，比较不同条件下MOSFET器件的电学性质和稳定性。
三、研究预期结果
本研究将建立GeMOS界面钝化层制备工艺，并研究其在MOSFET器件制备中的应用，预期可获得以下成果：
1、建立钝化层制备工艺，提高MOSFET器件的稳定性和可靠性。
2、比较不同工艺条件下GeMOS界面特性，为其在其他半导体器件中的应用提供参考。
3、比较不同条件下MOSFET器件的性能差异，为后续MOSFET器件的制备提供优化方案。
四、研究计划及进展
本研究计划耗时1年完成，目前研究进展如下：
1、已对GeMOS界面进行了分析，并确定了制备工艺。
2、已完成电镀和溅射工艺下的界面制备，并初步测试了其性质。
3、正在进行离子束刻蚀工艺下的界面制备和测试。
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