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AlN外延薄膜的MOCVD生长和高阻GaN中的深能级研究的开题报告

标题：AlN外延薄膜的MOCVD生长和高阻GaN中的深能级研究的开题报告

背景介绍：

随着半导体技术的不断进步和发展，AlN外延薄膜和高阻GaN在半导体器件和光电子领域中得到了广泛应用。AlN外延薄膜具有良好的热稳定性、电热导率和光学性能，可用于制备高功率电子器件、UVLED以及高温传感器等。而高阻GaN由于其在光电子器件中的应用，如GaNHEMT中的半绝缘层、GaNLED中的p型层等，近年来也备受关注。然而，这两种材料中存在的深能级缺陷问题制约了它们应用的进一步发展。

研究目的：

本研究旨在探究AlN外延薄膜的MOCVD生长特性及其优化，以及高阻GaN中的深能级缺陷问题，为相关领域的应用提供支持和帮助。

研究内容：

1.AlN外延薄膜的MOCVD生长工艺优化探究；

2.研究不同生长条件下AlN外延薄膜的物理化学性质和表面形貌；

3.对高阻GaN的深能级进行实验研究；

4.分析高阻GaN中深能级的形成机理。

研究方法：

1.采用MOCVD技术在不同生长条件下制备AlN外延薄膜，并通过多种技术手段对其进行表征和分析；

2.利用自行搭建的光学测量系统和电学测试系统对高阻GaN中的深能级进行实验研究；

3.采用第一性原理计算方法模拟高阻GaN中深能级的形成机理。

意义和价值：

1.通过研究AlN外延薄膜的生长特性及其表面形貌，优化制备工艺，提高生长质量和产率；

2.对高阻GaN中深能级进行实验研究，有利于解决该材料中深能级缺陷问题，并为光电子器件的开发和应用提供技术支持；

3.了解高阻GaN中深能级的形成机理，有助于优化材料制备的工艺流程。

预期成果和创新点：

1.确定AlN外延薄膜的最佳生长条件，提高生长质量和产率；

2.揭示高阻GaN中深能级的本质和形成机理，为该材料的应用提供理论和实验上的支持；

3.突破现有材料研究的技术瓶颈，开发新型高性能材料。