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一种卤素端基化MXene材料在电磁波吸收中的应用.pdfVIP

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  • 2024-05-29 发布于四川
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一种卤素端基化MXene材料在电磁波吸收中的应用.pdf

    本发明涉及一种卤素端基化MXene材料在电磁波吸收中的应用，所述卤素端基化MXene材料结构通式为Ti3C2Xn，其中X选自Cl、Br或I，n为2或3。所述卤素端基化MXene材料在2‑18GHz的频率范围内电磁波最小反射损失

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN118083978A

    (43)申请公布日2024.05.28

    (21)申请号202410143847.9

    (22)申请日2024.02.01

    (71)申请人同济大学

    地址200092

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