1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

一种二维材料扭角MoS2的制备及二维材料扭角MoS2.pdfVIP

  • 0
  • 0
  • 约1.21万字
  • 约 11页
  • 2024-05-29 发布于四川
  • 举报

一种二维材料扭角MoS2的制备及二维材料扭角MoS2.pdf

    本发明公开了一种二维材料扭角MoS2的制备及二维材料扭角MoS2，二氧化硅/硅片为衬底，钼源和硫粉为原料，在所述衬底的二氧化硅面采用化学气相沉积法进行二维材料扭角MoS2的生长；所述二维材料扭角MoS2的生长容器为石英管，石英管内通入氩气作为运载气体；在所述的石英管内还设置了两端开口的石英试管，用于放置进行化学气相沉积的钼源和衬底；氩气的流量为30～200sccm；化学气相沉积的反应温度为650～800℃。该实验工艺简单，成本低廉，所制备的二维材料扭角MoS2表面均匀平整、质量高，对于研究新型扭

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN114959637A

    (43)申请公布日2022.08.30

    (21)申请号202210561427.3

    (22)申请日2022.05.23

    (71)申请人西北工业大学

    地

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >