大直径单晶生长中稳定性的改进措施(附大直径直拉单晶技术工艺).docx

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2024-06-02 发布于天津
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大直径单晶生长中稳定性的改进措施(附大直径直拉单晶技术工艺).docx

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标题大直径单晶生长中稳定性的改进措施附大直径直拉单晶技术工艺主要内容1引言文章介绍当前半导体行业的发展趋势和挑战2层面稳定性详细介绍在大直径单晶生长过程中如何保证气流的稳定性，防止氮气和其他有害气体进入炉体3空气流动控制分析了影响真空度不稳定的因素，包括氩气进气系统真空抽速等4改进方案讨论了针对上述问题提出的具体解决方案，如引入质量流量控制系统改进空气流动控制系统等5结论强调了大直径单晶生长对环境的特殊需求，需要选择适当的

大直径单晶生长中稳定性的改进措施

引言

半导体技术的日月异促使了硅单晶生长技术向大直径方向进展。目前，国内大直径直拉单晶制造的规模化生产刚刚起步，很多技术尚处在摸索阶段。生长无位错的大直径单晶，要求其生长环境有很高的稳定性。这使得一些破坏单晶生长稳的因素，在原先小直径单晶生长中影响不大，但是对大直径单晶生长的负面影响却日渐显现。

在直拉单晶生长过程中，炉体内的气体气流由上至下贯穿单晶生长的区域，准时地带走由于高温而产生出来的硅氧化物和杂质挥发物。因此，维持单晶炉体内真空值的稳定性，不受外界因素的影响，同时使保护气体有合理的气流走向，快速带走杂质，已经成为目前半导体材料制造行