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第一章绪论

1.1研究背景

半导体是一种导电能力介于导体与非导体之间的材料。半导体工业自1947

年发明电晶体后，已经成为现代新兴工业的主流，由于技术的迅速成长与突破，

使集成电路(IntegrationCircuit，IC)制造得以在短短的几十年间由单一的

电晶体、电阻、电容等分离组件的组合发展到可以容纳数十个电晶体的小型集成

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电路(SSI—SmallScaleIntegration，10)，中型集成电路（MSI—MediumScale

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Integration，10-10）再经历至可容纳数十万个电晶体的大型集成电路

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(LSI—LargeScaleIntegration，10-10)，现今已经可以容纳数千万个电晶

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体的超大型集成电路(VLSI—VeryLargeScaleIntegration，10-10),甚

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至扩展到极大型集成电路（ULSI—UltraLargeScaleIntegration，10-10）。

这种发展速度是其它任何领域都无法与之相比的。

在半导体制程中湿蚀刻是一个非常重要的制程，湿蚀刻是利用溶液与薄膜经

反应所产生的气态或是液态的生成物来执行薄膜分子的移除。因此，湿蚀刻的进

行是没有固定方向的，即所谓的均向蚀刻（也叫等向性蚀刻）。湿蚀刻机台的作

用就是利用化学的方法除去IC制程中在晶圆表面产生的各种污染物，包括：微

小颗粒、金属离子、有机物和氧化层等。这一系统是由一系列的化学制程组合到

一起而组成的一个自动化的湿式制程序列，从而高效率地清除上面提到的这些物

质。

控制湿蚀刻反应的主要参数有：溶液浓度、蚀刻时间、反应温度及溶液的搅

拌方式等四大项。因为湿蚀刻本身属于一种化学反应，所以蚀刻溶液的浓度越高

或是温度越高，薄膜被移除速率也就越快。但是太高的薄膜蚀刻率往往会造成严

重的“底切现象”，所以这两项条件必须适当的控制。当然，当溶液对薄膜材质

的蚀刻率越慢，将薄膜整个移除所需要的时间也就要越长，因此这三项参数基本

上是相互关联的，并非独立。

1.2论文简介

半导体制程中，为了保证好的良率，重要的一个环节就是对湿蚀刻机台中蚀

刻用到的化学药液的温度进行控制，把其控制在一定的范围内，在特定的温度下

蚀刻晶圆。

本文首先介绍了半导体制程和湿蚀刻机台的构造，然后针对其中的温度控制

系统进行了详细的叙述，阐明了温度控制系统的软件和硬件的设计流程和具体实

施方案。

本系统以89C51为控制核心，分为温度采集模块、温度设定模块、温度控制

模块和温度显示模块等。

1.3论文结构

本论文一共分为七章：第一章是绪论，介绍研究背景和文章的结构，第二章

和第三章是对半导体制作流程和湿蚀刻制程机台构造的介绍，第四章到第六章是

介绍电路的开发环境和设计的硬件以及软件，第七章是结束语部分以及对半导体

产业的展望，最后是致谢和参考文献部分。

第二章集成电路生产简介

所谓集成电路，就是把特定电路所需的各种电子元件及线路，缩小并制作在

面积非常小的板子上的一种电子产品。由于IC有体积小、功耗小、速度快、成

本低、可靠性高、维修容易等优点，已发展成一个需求量庞大的市场，且随着半

导体的应用的扩展，目前这个市场还在持续的扩大，尤其对中国来说，其发展的

前景非常的可观。

集成电路的种类主要有两种：（1）逻辑电路(Logic),（2）存储电路（Memory）。

集成电路的生产，主要分为三个阶段：（1）硅芯片（Wafer）的制造，(2)集成电

路的制造，(3)集成电路的封装（Package）。

集