材料化学 课件 13 第一讲：半导体革新及其材料化学 .pptx

高等材料化学（集成电路材料）;第一讲：半导体革新及其材料化学;1.1芯片技术演进及第一代半导体

1.2单晶硅制备的材料化学

1.3第二代半导体及其材料化学

1.4第三代半导体及其材料化学

1.5新兴半导体及其材料化学;4;;;第一代半导体：元素半导体;第一代半导体：元素半导体;9;10;硅与锗的性能对比;在20世纪60年代，硅基半导体迅速替代锗基半导体成为主流半导体材料

硅基半导体技术较成熟，全球95%以上的半导体芯片和器件用硅片作为基础功能材料;1.1芯片技术演进及第一代半导体

1.2单晶硅制备的材料化学

1.3第二代半导体及其材料化学

1.4第三代半导体及其材料化学

1.5新兴半导体及其材料化学;单晶硅制备的材料化学;提拉法（Czochralski法）;?;17;LPCVD：LowPressureCVD，低压化学气相沉积法;PECVD：PlasmaEnhancedCVD，等离子体增强化学气相沉积法;;1.1芯片技术演进及第一代半导体

1.2单晶硅制备的材料化学

1.3第二代半导体及其材料化学

1.4第三代半导体及其材料化学

1.5新兴半导体及其材料化学;22;制备工艺：单晶生长技术;拉升法（Czochralski法）;熔体生长法（Bridgman法）;26;1.1芯片技术演进及第一代半导体

1.2单晶硅制备的材料化学

1.3第二代半导体及其材料化学

1.4第三代半导体及其材料化学

1.5新兴半导体及其材料化学;第三代半导体：宽禁带化合物半导体

代表材料：SiC、GaN

特点:

宽禁带(≥2.3eV）

高导热性

高击穿场强

高饱和电子漂移率

高结合能

应用：高温高压高频的大功率器件;SiCvs硅器件

可以阻断的电压是硅器件的10倍

在开和关状态之间的转换速度比硅器件快10倍

具有更高的电流密度

更低的导通电阻

超高工作温度简化了热管理，减小印刷电路板外形尺寸，提高系统稳定性;;Phys.StatusSolidiB2020,257,1900436;

在新能源汽车、5G通信、物联网等重点领域实现了应用突破

;SiCMESFET

特征频率已经达到22GHz

最高振荡频率可以达到50GHz;1.1芯片技术演进及第一代半导体

1.2单晶硅制备的材料化学

1.3第二代半导体及其材料化学

1.4第三代半导体及其材料化学

1.5新兴半导体及其材料化学;;过渡金属硫族化合物，TMDC

有着丰富能带结构

优异的光电性能可被用于LED、激光器、光电传感器;新兴半导体及其材料化学;2H-MX2（三棱柱相）:半导体特性

1T-MX2（八面体相）:金属特性;常见TMD元素与其禁带宽度汇总表;化学气相沉积是目前使用最广泛、最具有前景的生长方法;;42;