材料化学 课件 4 晶体中的缺陷-点缺陷-2.pptx

点缺陷杂质缺陷的表示方法：SrTiO3晶体简单置换SrTiO3电荷补偿置换PbCo0.5W0.5O3intoBaTiO3BaTiO3??

点缺陷杂质缺陷的表示方法：形成正离子空位的置换CaCl2形成负离子空位的置换CaONaClZrO2CaCl2晶体??

点缺陷杂质缺陷的表示方法：出现正离子填隙的置换2CaO出现负离子填隙的置换YF3ZrO2CaF21800℃CaO晶体??

点缺陷通过x射线衍射区别空位型和间隙型：知道晶胞参数，求出晶胞体积计算理论密度ρcal：ρcal(v)ρcal(i)比较实验密度ρexp和ρcal

点缺陷非化学计量化合物：非化学计量化合物——实际上一些化合物并不符合定比定律，负离子与正离子的比例，并不是一个简单的固定的比例关系，此类化合物由于在化学组成上偏离化学计量而产生缺陷。理想的CeO2晶胞和存在缺位的CeO2晶胞

点缺陷非化学计量化合物：1、由于负离子缺位、金属离子过剩TiO2和ZrO2会产生这种缺陷，分子式可写为TiO2-x，ZrO2-x。从化学计算观点来看，正负离子应为1:2，但由于氧离子不足，形成氧空位，使金属离子与化学式量比较起来，显得过剩。

点缺陷非化学计量化合物：2、由于存在间隙正离子，使金属离子过剩缔合缺陷吸收一定波长的光形成颜色，这个缔合缺陷叫色中心(色心)。过渡金属离子进入间隙位置是带正电，为保持电中性，等价的电子束缚在间隙位置金属离子周围，成为电中性，也成为一种色心。

点缺陷非化学计量化合物：3、由于存在间隙离子，使负离子过剩UO2具有这种缺陷，可以认为U3O8在UO2中固熔体即晶格中存在间隙负离子时，为保持电中性，结构中引入电子空穴，相应正离子升价，电子空穴在电场下会运动，这种材料也主要是半导体。

点缺陷?

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点缺陷点缺陷与氧分压：3、间隙缺陷化合物?

点缺陷非化学计量化合物缺陷讨论结论：从以上缺陷的类型的讨论结果看，非化学计量缺陷的浓度与气氛的性质大小有关——这是与另外两种缺陷的最大区别从非化学计量观点看，世界上所有化合物都是非化学计量，只是程度不同而已也与温度有关，从平衡常数K与温度的关系可以反映出

点缺陷点缺陷对晶体性能的影响：点缺陷引起晶格畸变（distortionoflattice），能量升高，结构不稳定，易发生转变。点缺陷的存在会引起性能的变化：1、物理性质如使金属的电阻R↑、体积V↑、密度ρ↓等；2、力学性能采用高温急冷(如淬火quenching)，大量的冷变形（coldworking），高能粒子辐照（radiation）等方法可获得过饱和点缺陷，如使σS提高；3、影响相变过程，化学热处理（chemicalheattreatment）等。

点缺陷过饱和点缺陷：在点缺陷的平衡浓度下晶体的自由能最低，系统最稳定。当在一定的温度下，晶体中点缺陷的数目明显超过其平衡浓度时，这些点缺陷称为过饱和点缺陷。它的产生方式有三种：淬火(quenching)\冷加工(coldworking)\辐照(radiation)：1、淬火：高温时晶体中的空位浓度很高，经过淬火后，空位来不及通过扩散达到平衡浓度，在低温下仍保持了较高的空位浓度；2、冷加工：金属在室温下进行压力加工时，由于位错交割所形成的割阶发生攀移，从而使金属晶体内空位浓度增加；3、辐照：当金属受到高能粒子（中子、质子、氘核、α粒子、电子等）辐照时，晶体中的原子将被击出，挤入晶格间隙中，由于被击出的原子具有很高的能量，因此还有可能发生连锁作用，在晶体中形成大量的空位和间隙原子。