材料化学 课件 13 集成电路材料.pptx

高等材料化学（集成电路材料）;第一讲：半导体革新及其材料化学;1.1芯片技术演进及第一代半导体

1.2单晶硅制备的材料化学

1.3第二代半导体及其材料化学

1.4第三代半导体及其材料化学

1.5新兴半导体及其材料化学;4;;;第一代半导体：元素半导体;第一代半导体：元素半导体;9;10;硅与锗的性能对比;在20世纪60年代，硅基半导体迅速替代锗基半导体成为主流半导体材料

硅基半导体技术较成熟，全球95%以上的半导体芯片和器件用硅片作为基础功能材料;1.1芯片技术演进及第一代半导体

1.2单晶硅制备的材料化学

1.3第二代半导体及其材料化学

1.4第三代半导体及其材料化学

1.5新兴半导体及其材料化学;单晶硅制备的材料化学;提拉法（Czochralski法）;?;17;LPCVD：LowPressureCVD，低压化学气相沉积法;PECVD：PlasmaEnhancedCVD，等离子体增强化学气相沉积法;;1.1芯片技术演进及第一代半导体

1.2单晶硅制备的材料化学

1.3第二代半导体及其材料化学

1.4第三代半导体及其材料化学

1.5新兴半导体及其材料化学;22;制备工艺：单晶生长技术;拉升法（Czochralski法）;熔体生长法（Bridgman法）;26;1.1芯片技术演进及第一代半导体

1.2单晶硅制备的材料化学

1.3第二代半导体及其材料化学

1.4第三代半导体及其材料化学

1.5新兴半导体及其材料化学;第三代半导体：宽禁带化合物半导体

代表材料：SiC、GaN

特点:

宽禁带(≥2.3eV）

高导热性

高击穿场强

高饱和电子漂移率

高结合能

应用：高温高压高频的大功率器件;SiCvs硅器件

可以阻断的电压是硅器件的10倍

在开和关状态之间的转换速度比硅器件快10倍

具有更高的电流密度

更低的导通电阻

超高工作温度简化了热管理，减小印刷电路板外形尺寸，提高系统稳定性;;Phys.StatusSolidiB2020,257,1900436;

在新能源汽车、5G通信、物联网等重点领域实现了应用突破

;SiCMESFET

特征频率已经达到22GHz

最高振荡频率可以达到50GHz;1.1芯片技术演进及第一代半导体

1.2单晶硅制备的材料化学

1.3第二代半导体及其材料化学

1.4第三代半导体及其材料化学

1.5新兴半导体及其材料化学;;过渡金属硫族化合物，TMDC

有着丰富能带结构

优异的光电性能可被用于LED、激光器、光电传感器;新兴半导体及其材料化学;2H-MX2（三棱柱相）:半导体特性

1T-MX2（八面体相）:金属特性;常见TMD元素与其禁带宽度汇总表;化学气相沉积是目前使用最广泛、最具有前景的生长方法;;42;;高等材料化学（集成电路材料）;第二讲：互联及介电材料化学;2.1集成电路用互联材料化学

2.2集成电路用介电材料化学;随着芯片尺寸减小，更多的互联材料被使用;;犹如高速公路或管道，传输电子，将晶体管与其他器件相互连接，发挥作用;50;由于缺少干法刻蚀工艺，在大马士革工艺发明之前，铜迟迟无法取代铝;;;;仅缩减填充Cu的尺寸，不缩减阻挡层与衬垫层的尺寸→Cu线路表面及内部晶界电阻快速上升

如果缩减阻挡层与衬垫层的尺寸→Cu向介质层内扩散→降低互联线路可靠性;;Co互联线路生产流程

PVDTi+ALDTiN沉积用于阻挡层与粘附层

PVDCo沉积初始Co籽晶层并通过CVD填充Co

退火工艺促进Co回流填充缝隙、增大晶粒与去除杂质

PVD沉积厚Co层实现过覆盖

CMP去除过沉积Co层并实现表面抛光;在众多候选的新一代互联材料中，Ru是继Co之后，在纳米级互联技术中得到优先研究的材料

其电阻随尺寸微缩的上升较缓，在纳米级尺寸下电阻显著低于Co，与Cu性能大致相当

具有比Cu和Co更高的熔点与内聚能，因此有更高的抗电迁移性能与可靠性，这使得Ru成为5nm技术节点之后最有希望代替Cu与Co的金属之一;1.1集成电路用互联材料化学

1.2集成电路用介电材料化学;具有介电性能，在电场作用下能建立极化的物质

极化：介电材料中电荷在静电场中作微小的广义位移(如束缚电荷的位移，偶极子取向)或受限的大尺度位移(如自由电荷移至界面与电极表面)，而在介电材料表面(或界面)产生束缚电荷，形成感应偶极矩的物理过程。;;高介电材料（High-κdielectric）：介电常数高于SiO2的介电常数（3.9）;利用高κ介质材料代替常规栅氧SiON和金属栅代替多晶硅栅的工艺

常利用高κ介质材料HfO2和HfSiON取代SiON作为栅氧化层;先栅(Gate-First)工艺技术，也称金属嵌入多晶硅(MetalI