半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 第5部分:柔性材料热特性测试方法 .pdf

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GB/TXXXX.XX—XXXX/IEC62951-5:2019

半导体器件柔性可拉伸半导体器件

第5部分:柔性材料热特性测试方法

1范围

本文件规定了柔性材料热特性的测试方法。本文件包括可用于评估和定义实际使用的柔性材料热特

性的术语、定义、符号和测试方法。测量方法依赖于基于温度相关光学反射的非接触光学测温。本文件

适用于可承受弯曲和拉伸的基板和薄膜等柔性半导体材料。

2规范性引用文件

本文件没有规范性引用文件。

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

3.1

反射率reflectance

ρ

特定波长和温度下材料表面对光通量的反射率。

注1:反射率可定义为反射光通量和入射光通量的比率或反射光通量和辐射的比率。

[来源:IEC60050-845:1987,845-04-58,修改-增加了光学反射率的温度依赖性。]

3.2

热调制反射谱thermoreflectance

热反射材料表面与温度相关的光反射率。

注1:热反射与热反射无关。

3.3

局部温度localtemperature

Tloc

三维器件或系统局部区域的温度。

3.4

平均温度averagetemperature

Tavg

给定时刻下,基板目标区域的平均温度。

1

=∑()···································································(1)

=1

式中:

1

GB/TXXXX.XX—XXXX/IEC62951-5:2019

n——温度测试点的总数;

T(i)——第i个测量点的局部温度

loc

3.5

初始温度initialtemperature

Ti

样品即将通电时的局部或平均温度(t=0)

3.6

最终温度finaltemperature

Tf

样品即将断电时的局部或平均温度(t=Tf)。

3.7

热时间常数thermaltimeconstant

τ

达到初始和最终温度差值的63.2%所需的时间。

3.8

基板substrate

厚度超过探测激光波长20倍的材料。

注1:对于633nm波长,基板的厚度应大于12.7μm。

3.9

薄膜thin-film

厚度小于探测激光波长20倍的薄膜材料。

注1:对于633nm波长,薄膜的厚度小于12.7μm。

4测试方法

4.1总则

热反射是一种非接触的光学测温技术,它依赖于材料折射率随温度的变化。根据材料的厚度分类,

柔性半导体材料可分为基板和薄膜。对于基板材料,光学反射率值随温度呈线性变化。对于薄膜材料,

薄膜材料的光学反射率值表现出高度非线性行为,如图1所示。薄膜材料,非线性的光学反射率主要和

其厚度有关,如图2所示。当完成不同温度材料在单一或者多波长的反射率校准后,即获得了材料的热

特性。

标引序号说明:

2

GB/TXXXX.XX—XXXX/IEC62951-5:2019

1——衬底

2——薄膜

图1基板和薄膜材料的热反射信号随温度的变化

图2633nm波长下硅薄膜(厚度为1,62µm、1,64µm和1,

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