半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验 第1部分：MOSFETs的快速偏置温度不稳定性试验 .docx

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半导体器件金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验第1部分：MOSFETs的快速偏置温度不稳定性试验

1范围

本文件描述了用于硅基金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的快速偏置温度不稳定性（BTI）测试的试验方法。

本文件还定义了与常规BTI测试方法有关的术语。

2规范性引用文件

本文件没有规范性引用文件。

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

3.1

标准电源电压nominalpowersupplyvoltage

VDD

工艺指定的合适的工作电压。

3.2

漏极-源极电压drain-sourcevoltage

VDS

漏极和源极之间的电压。

3.3

极栅-源极电压gate-sourcevoltage

VGS

栅极和源极之间的电压。

3.4

阱极-源极电压well-sourcevoltage

VBS

衬底和源极之间的电压。

3.5

漏极电流draincurrent

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ID

VBS等于0时流过漏极的电流。

3.6

恒定电流阈值电压constantcurrentthresholdvoltage

Vth-ci

漏极电流等于指定ID处的VGS值。

注1：V的定义可以用下面的公式来表示:

(L,Vth-ci=VGS(|whenID=ID0×W)|······································

(L,

式中：

V——恒定电流阈值电压I——漏极电流（任意值）

I——恒定漏极电流，建议选取合适值使得VV（典型值为50nA到300nA之间）

W——沟道宽度L——沟道长度

注2：如果V比V大，有可能是因为迁移率的退化影响了V，如果VV相等，界面态密度对V漂移的影响可能无法被监测到。

3.7

外推的阈值电压extrapolatedthresholdvoltage

Vth-ext

当漏源电压处于线性区或者等于推荐工作条件的典型值时，从IDS-VGS曲线的最大斜率处的点开始，以该点处的斜率作通过该点的直线在VGS轴上的截距即为Vth-ext。

见图1。

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图中

A为I-V曲线

C为I-V曲线的外推的最大斜率V为外推的阈值电压

图1ID-VGS曲线以提取Vth-ext

3.8

饱和漏极电流saturateddraincurrent

IDsat

晶体管偏置在饱和区时,在VDS=VGS=VDD条件下测得的漏极电流。

3.9线性漏极电流lineardraincurrent

IDlin

晶体管偏置在线性区（VDS=0.05V到0.1V之间）时,在VGS=VDD条件下测得的漏极电流。

3.10

测量中的栅极-源极电压gatesourcevoltageformeasurement

VGS-meas

测量过程中施加的VGS。

3.11

测量中的漏极电流draincurrentformeasurement

ID-meas

VGS=VGS-meas测量过程中的漏极电流。

3.12

介质电场强度dielectricelectricfieldstrength

EOX

栅介质层中的电场强度。注1：E的一般公式是:

Eox=·························································

式中：

E——栅介质层中的电场强度；V——栅介质层上施加的电压；t——栅介质层厚度；

t——用于在线监测的参数，由器件在反型状态时的CV分析决定。需要指出的是，施加的电压不一定是氧化物上的电压。超薄氧化物表现出量子约束效应和栅电极损耗效应，这些效应会有效降低氧化物的电压。数据报告中应包括测定t的方法或参考文件标准。

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4试验设备

4.1设备

4.1.1晶圆探针台

配有热托盘的晶圆探针台。在应力和测量过程中，温度应保持恒定（建议在±