半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 第2部分：柔性器件的电子迁移率、亚阈值摆幅和阈值电压评价方法 征求意见稿.pdf

GB/TXXXX.XX—XXXX/IEC62951-2:2019

半导体器件柔性可拉伸半导体器件第2部分：柔性器件的电子迁

移率、亚阈值摆幅和阈值电压评价方法

1范围

本文件规定了用于评价和确定柔性薄膜晶体管(TFT)器件性能特征的术语、定义、符号、配置和评

价方法。为了准确评价柔性TFT器件在实际使用中弯曲状态下的性能和可靠性，本标准规定了评价方法

和特征参数。

2规范性引用文件

本文件没有规范性引用文件。

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

3.1

柔性薄膜晶体管flexiblethin-filmtransistor/

flexibleTFT

在机械柔性衬底(如聚合物和金属箔)上制备的薄膜晶体管。

3.2

迁移率mobility

等于载流子(电子)沿电场方向的平均速度与电场强度的之比。

3.3

亚阈值摆幅sub-thresholdswing

S

用有机半导体材料制作的薄膜晶体管。

亚阈值摆幅是衡量晶体管开启与关断状态之间相互转换速率的性能指标，由下面的公式定义：

=ln(10)(1+)

式中，和分别代表耗尽层电容和栅氧化电容。

3.4

阈值电压thresholdvoltage

栅源电压，在此电压下漏极电流的大小达到一个规定的低值

3.5

栅极电压gatevoltage

GS

1

GB/TXXXX.XX—XXXX/IEC62951-2:2019

栅极和源极之间的电压。

3.6

漏极电压drainvoltage

DS

漏极和源极之间的电压。

3.7

漏极电流draincurrent

DS

漏极和电源之间的电流。

3.8

跨导transconductance

gm

当漏源极电压保持不变时，漏源极电流增量与栅源极电压增量之比。

4测试方法

4.1原理

为了研究柔性薄膜晶体管的可靠性，进行了如下的弯曲试验(见图1)：

a)弯曲之前，测量薄膜晶体管的电学特性；

b)在机械弯曲状态下，重新测量薄膜晶体管的电特性，如图3所示。

图1柔性薄膜晶体管的测量过程

4.2弯曲前电特性测试

2

GB/TXXXX.XX—XXXX/IEC62951-2:2019

采用四种偏置评价方法对柔性TFT的稳定性进行了试验。负偏压(NBS)试验在黑暗条件下，采用GS

为-20V，为10V，衬底温度保持在20℃和60℃；负偏压光照应力(NBIS)试验采用为-20V，为

DSGSDS

10V，使用亮度为300cd/m2的白光发光二极管进行光照，衬底温度保持在20℃和60℃；正偏压（PBS）

试验在黑暗条件下，为+20v，为0.1V，衬底温度保持在20℃和60℃。在固定为0.1V的条件

GS