半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验 第1部分：MOSFETs的快速偏置温度不稳定性试验 .pdf

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半导体器件金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温

度不稳定性试验第1部分：MOSFETs的快速偏置温度不稳定性试验

1范围

本文件描述了用于硅基金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的快速偏置温度不稳定性（BTI）

测试的试验方法。

本文件还定义了与常规BTI测试方法有关的术语。

2规范性引用文件

本文件没有规范性引用文件。

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

标准电源电压nominalpowersupplyvoltage

VDD

工艺指定的合适的工作电压。

漏极-源极电压drain-sourcevoltage

VDS

漏极和源极之间的电压。

极栅-源极电压gate-sourcevoltage

VGS

栅极和源极之间的电压。

阱极-源极电压well-sourcevoltage

VBS

衬底和源极之间的电压。

漏极电流draincurrent

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ID

V等于0时流过漏极的电流。

BS

恒定电流阈值电压constantcurrentthresholdvoltage

Vth-ci

漏极电流等于指定I处的V值。

DGS

注1：V的定义可以用下面的公式来表示:

th-ci

W········································

VV

when

II(1)

thciGSDD0

L

式中：

V——恒定电流阈值电压

th-ci

I——漏极电流（任意值）D

I——恒定漏极电流，建议选取合适值使得VV（典型值为50nA到300nA之间）

D0GSth-ext

W——沟道宽度

L——沟道长度

注2：如果V比V大，有可能是因为迁移率的退化影响了V，如果VV相等，界面态密度对V漂移的影响

GSth-extth-ciGS与th-extth

可能无法被监测到。

外推的阈值电压extrapolatedthresholdvoltage

Vth-ext

当漏源电压处于线性区或者等于推荐工作条件的典型值时，从I-V曲线的最大斜率处的点开始，