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第九章根本光刻工艺流程-曝光到最终检验
概述
在本章，将解释从光刻胶的显影到最终检验所使用的根本方法。本章末尾将涉及膜版工艺的使用和定位错误的争论。
目的
完本钱章后您将能够：
划出晶圆在显影之前及之后的剖面图。
列出显影的方法。
解释硬烘焙的方法和作用。
列出晶圆在显影检验时被拒绝的至少五个缘由。
划出显影-检验-重做工作过程的示意图。
解释湿法刻蚀和干法刻蚀的方法和优缺点。
列出从氧化膜和金属膜上去除光刻胶的机器
解释最终检验的方法和作用。
显影
晶圆完成定位和曝光后，器件或电路的图案被以曝光和未曝光区域的形式记录在光刻胶上〔图9.1〕。通过对未聚合光刻胶的化
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