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石墨烯的制备措施;微机械分离法;长处:1、机械剥离法是最简朴的措施
2、对试验室条件的规定非常简朴
3、并且轻易获得高质量的石墨烯;氧化石墨还原法;;长处:制备的石墨烯为独立的单层石墨烯片,产量高,
环境保护,成本较低,并且能大规模工业化生产。;外延生长法;;长处:可以制备出1—2碳原子层厚的石墨烯;
制得的石墨烯体现出较高的载流子迁移率等特性;
用于以SiC为衬底的石墨烯器件的研究。;化学合成法;长处:构造完整;
有良好的加工性能;
产物具有质量高、纯度高;
;化学气相沉积法(CVD);影响CVD生长原因;目前使用的生长基体重要包括金属箔或特定基体上的金属薄膜。
常用金属重要有Ni、Cu、Ru以及合金等。
选择根据:金属的熔点、溶碳量、与否有稳定的金属碳化物等。
这些原因决定了石墨烯的生长温度、生长机制和使用的载气类型。;;长处:制得二维平面的石墨烯薄膜;产率较高;质量高;
可实现大面积生产;
应用:可用来生产具有柔韧性的高导电透明电极;
适于纳电子器件和透明导电薄膜的应用。;沈阳材料科学国家(联合)试验室提出采用贵金属
铂作为生长基体,铂对甲烷和氢气较强的催化裂解能力
以及反应中低浓度甲烷和高浓度氢气的使用是实现石墨
烯低成核密度并最终制备出大尺寸单晶石墨烯的关键。
;
从原理上来讲,只要气体分子中具有碳原子,
轻易断链,就应当可以满足试验的需求。很轻易
想到跟甲烷类似的其他碳氢化合物,例如乙烯。
相比而说,乙烯中的碳氢键更轻易断键,反应所
需要的温度应当更低。;超生剥离法,切割碳纳米管,电化学措施,
电弧法等;泡沫石墨烯制备;1)将金属泡沫材料放进真空管式炉内,并在非氧化性
气氛下进行煅烧;
2)采用化学气相沉积法,在煅烧后的金属泡沫材料上
沉积石墨烯;
3)将得到的石墨烯修饰的金属泡沫材料中的泡沫金属除去;
然后将得到的泡沫材料依次用去离子水、乙醇、乙醚清洗,
取出烘干,得到石墨烯泡沫。;石墨烯构造:石墨烯体材料完整地复制了泡沫
金属的构造,石墨烯以无缝连接的方???构成一种全连通
的整体,具有优秀的电荷传导能力、~850m2/g的比
表面积、~99.7%的孔隙率和~5mg/cm3的极低密度(图1)。;(1)采用CVD,制备石墨烯薄膜;
(2)在上述产物上附着有机胶体,得有机胶体/石墨烯/
金属箔片结合体;
(3)用金属箔片腐蚀液除去金属箔片,得有机胶体/石墨烯
结合体;
(4)再用基片将上述环节产物取出,放入去离子水中,清洗、
烘干,得有机胶体/石墨烯/基片结合体;
(5)用有机溶剂除去有机胶体,取出,自然干燥,得位于
基片上的超大面积高质量石墨烯薄膜电极。
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