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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN104376878A
(10)申请公布号
(43)申请公布日2015.02.25
(43)申请公布日
(21)申请号201410469022.2
(22)申请日2014.09.15
(71)申请人武汉新芯集成电路制造有限公司
地址430205湖北省武汉市东湖开发区高新
四路18号
(72)发明人张宇飞罗旭仝金雨苏捷峰
(74)专利代理机构上海申新律师事务所31272
代理人吴俊
(51)Int.Cl.
G11C29/56(2006.01)
权利要求书1页说明书4页附图2页
(54)发明名称
一种半导体器件失效分析的方法
(57)摘要
本发明涉及半导体可靠性分析领域，尤其涉
及一种半导体器件失效分析的方法。本发明建立
一种针对存储器的失效分析的方法，通过对失效
区域及其周围区域的连接通孔进行电压对比分析
并对电压对比分析结果剖析，以检测出快闪存储
器由于冗余替换的存储区域缺陷经过可靠性测试
或实际使用后造成的临近区域的失效问题。在可
靠性失效中对冗余替换的信息进行分析，为冗余
电路的替换造成的可靠性失效问题提供有力的分
析依据，并对可靠性失效率的降低提供了分析及
改善的方向。
A
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7
8
6
7
3
4
0
1
N
C
权利要求书
CN104376878A1/1页
1.一种半导体器件失效分析的方法，其特征在于，所述方法包括：
提供一具有缺陷的失效样品；
确定所述缺陷在所述失效样品上所处的物理位置；
对所述失效样品进行正面减薄工艺，以将位于所述物理位置及临近该物理位置的连接
通孔均予以暴露；
对暴露的所述连接通孔进行电压对比分析，以获取暴露的连接通孔的表征图像；
根据所述表征图像判断是否是由于冗余电路替换造成的所述缺陷；
若是由于冗余电路替换造成的所述缺陷，则对所述失效样品的冗余算法进行改进。
2.权利要求1所述的半导体器件失效分析方法，其特征在于，所述方法还包括：
通过采用电性失效分析的方法和/或动态热点失效分析的方法来确定所述缺陷在所
述失效样品上所处的物理位置。
3.权利要求2所述的半导体器件失效分析方法，其特征在于，所述方法还包括：
对所述失效样品进行所述采用电性失效分析的方法获取所述缺陷在所述失效样品上
所处的物理位置；
若不能确定所述缺陷在所述失效样品上所处的物理位置，则继续采用所述动态热点失
效分析的方法来确定所述缺陷在所述失效样品上所处的物理位置。
4.权利要求1所述的半导体器件失效分析方法，其特征在于，所述方法还包括：
所述失效样品为实际使用后的失效器件或采用可靠性测试的方式获取的失效样品。
5.权利要求1所述的半导体器件失效分析方法，其特征在于，所述方法还包括：
通过判断所述连续排列的若干连接通孔的图像的明暗程度来确认其是否存在异常。
6.权利要求5所述的半导体器件失效分析方法，其特征在于，所述方法还包括：
若所述连续排列的若干连接通孔的图像中，位于所述物理位置处的连接通孔的图像明
暗程度与位于临近所述物理位置处的连接通孔的图像明暗程度存在差异，则确认位于所述
物理位置处的连接通孔的图像
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