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晶圆制造前道量检测工艺分类、特征、价值分析

（一）前道量检测贯穿晶圆制造环节始终，是芯片生产线的“监督员”

前道量检测使整条前道工艺产线的控制达到最佳化，同时也为追寻芯片生产中发现的问题提供

了重要的追寻线索。半导体芯片制造工艺步骤极多，各步骤之间可能会相互影响，因此很难根据最

后出厂产品的检测结果准确分析出影响产品性能与合格率的具体原因。而且如果不能在生产过程中

及时检测到工艺缺陷，则此批次工艺中生产出来的大量不合格产品也会额外增加厂商的生产成本。

因此前道量检测贯穿芯片制造环节始终，对加工制造过程进行实时的监控，确保每一步加工后的产

品均符合参数要求。而且，产品小组可以通过分析前道量检测产生的检测数据及时发现问题根源，

使之能够采取最有效的方式进行应对，从而制造出参数均匀、成品率高、可靠性强的芯片。

前道量检测根据测试目的可以细分为量测和检测。量测主要是对芯片的薄膜厚度、关键尺寸、

套准精度等制成尺寸和膜应力、掺杂浓度等材料性质进行测量，以确保其符合参数设计要求；而检

测主要用于识别并定位产品表面存在的杂质颗粒沾污、机械划、晶圆图案缺陷等问题。

前道量检测分类及主要技术

资料来源：开资料

前道量测、检测均会用到光学技术和电子束技术，但是两种技术在量测与检测下各具不同的特

点。光学量测通过分析光的反射、衍射光谱间接进行测量，其优点是速度快、分辨率高、非破坏性，

但缺点是需借助其他技术进行辅助成像；电子束量测是根据电子扫描直接放大成像，其优点是可以

直接成像进行测量，但缺点是速度慢、分辨率低，而且使用电子束进行成像量测操作时需要切割晶

圆，（立鼎产业研究网）因此电子束量测具有破坏性。光学检测是通过光信号对比发现晶圆上存在的

缺陷，其优点是速度快，但缺点是无法呈现出缺陷的具体形貌；而电子束检测可以直接呈现缺陷的

具体形貌，但是该方法在精度要求非常高的情况下会耗费大量的时间。

在实际的芯片制造过程中，光学技术与电子束技术常常被结合使用，比如检测环节一般采用

光学检测定位缺陷位置，再使用电子束检测对缺陷进行精确扫描成像，两种技术的结合使用可以提

高量检测的效率，并降低对芯片的破坏性。

前道量检测特点对比

资料来源：开资料

前道量检测贯穿晶圆制造过程始终，如下图所示，每一道制造工艺完成后，都需要对数个参数

进行测量，对缺陷情况进行检测，确保工艺的稳定并达到设计要求。

前道量检测工艺全景图

资料来源：开资料

（二）量测是验证晶圆加工后应该呈现的结果

量测的主要作用在于“量”，即测定晶圆制造过程中薄膜厚度、膜应力、掺杂浓度、关键尺寸、

套刻精度等关键参数是否符合设计要求。对于一条正常运转的产线来说，量测的结果应该都是符合

设计要求的，一旦出现量测结果持续偏离设计值的情况，就表明产线工艺出现了问题，需要进行问

题的排查。

——薄膜厚度量测：芯片制造过程中需要不断地沉积各类薄膜，一般一个芯片会具有几十层薄

膜结构，而薄膜的厚度、均匀性会对晶圆成像处理的结果产生关键性的影响。因此，为生产性能可

靠的芯片，薄膜的质量是保证产品最终良率的关键。半导体薄膜按材料划分有金属、介质、多晶硅

和光刻胶，它们或者是透明的薄膜或者是不透明的薄膜。业界内一般使用四探针通过测量方块电阻

计算不透明薄膜的厚度；通过椭偏仪测量光线的反射、偏射值计算透明薄膜的厚度。

——膜应力量测：在衬底表面上沉积多层薄膜可能会引入强的局部力量，这种局部力量被称之

为膜应力。膜应力可能会导致衬底发生形变，进而影响器件的稳定性。产线上一般通过分析由于薄

膜淀积造成的衬底曲率半径变化来进行膜应力测试，此种技术可用于包括金属、介质和聚合物在内

的各种标准薄膜。进行薄膜应力测试时经常使用的技术有电子扫描显微镜、原子力显微镜。

——掺杂浓度量测：离子注入