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《电子技术》部分试题
一．选择题
1．杂质半导体中的少数载流子浓度本征载流子浓度。
A．大于B.小于C.等于
2．若PN结两侧杂质浓度高，则形成的PN结。
A．反向漏电流小，反向击穿电压
B.反向漏电流小，反向击穿电压高
C.反向漏电流大，反向击穿电压高
3．在室温下，对于掺杂浓度相同的P型和N型半导体。
A．两者导电能力相同
B．P型半导体导电能力强
C．N型半导体导电能力强
4．在N型半导体中。
A．只有自由电子B．只有空穴C．有空穴也有自由电子
５．掺入五价杂质元素的半导体是。
Ａ．Ｐ型半导体Ｂ．Ｎ型半导体Ｃ．本征半导体
６.如果测得一个放大电路中其三极管的直流电压U＜１Ｖ，则它处
CE
于。
Ａ．放大状态Ｂ．饱和状态Ｃ．截止状态
７.测得一放大电路中某三极管三个电极电位分别为①端＝２Ｖ，②端＝
U1U2
4.8V,③端=1.3V,基极是。
U3
A.①端B.②端C.③端
8.已知一个三极管的=200uA,当=20uA时,=1mA，=。
IceoIbIcIcbo
A.8mAB.10mAC.4uA
9.以下器件中动态电阻大，直流电阻小的是。
A.二极管B.三极管c、e极间C.稳压管
10.检查放大器中的三极管在静态时是否进入截止区，最简单、可靠的方法是测
量值。
A.IbB.UbeC.Uce
11.当温度升高时，二极管的正向电压，反向电流。
A.增大B.减小C.基本不变
12．某放大电路中正常工作的三极管，已测得三个电极分别为2.7V、2V、6V。
可判定该管是。
A.NPN型锗管B.NPN型硅管C.PNP型锗管
13.一台电子设备为防止接地点产生干扰和噪声电压，接地点尽可能。
A.分散B.集中C.在接地点串个电容
14.在放大电路中使用的晶体三极管，当晶体管就要损坏。
A.工作电流超过值B.工作频率超过值
IcmfT
1
C.耗散功率超过值D.反向电压超过BU值
Pcm
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