材料科学基试题.docx

《材料科学根底》试卷Ⅳ

一、名词解释〔20分，每题4分〕

伪共晶；离异共晶；枝晶偏析；成分过冷；包申格效应二、选择题〔每题1.5分，共30分〕

如下说法哪个是正确的，

形成点缺陷所引起的熵的变化使晶体能量增加

晶体总是倾向于降低点缺陷的浓度

当点缺陷浓度到达平衡值时，晶体自由能最低

位错线上的割阶一般通过 形成。

位错的交割 B.交滑移 C.孪生

金属镁的单晶体处于软取向时塑变量可达100%-200%，但其多晶体的塑性很差，其主要缘由是：

A.镁多晶体的晶粒通常较粗大 B.镁多晶体通常存在裂纹

C.镁滑移系通常较少 D.由于镁是BCC构造，所以脆性大

层错和不完