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光敏电阻特性及应用试验报告

2023年4月18日

试验三光敏二极管特性试验

一．试验目的：１．生疏光敏二极管的构造和光电转换原理。２．把握光敏二极管的暗电流及光电流的测试方法。

３．了解光敏二极管的特性，当光电管得工作偏压肯定时，光电管输出光电流与入射光的照度〔或通量〕的关系。

二．试验原理:

光敏二极管是一种光生伏特器件，用高阻P型硅作为基片，然后在基片外表进展掺杂形成PN结，N区集中区很浅为1um左右，而空间电荷区〔即耗尽层〕较宽，所以保证了大局部光子入射到耗尽层内，光被吸取而激发电子——空穴对，电子——空穴对在外加反向偏压的作用下，空穴流向正极，形成了二极管的反向电流即光电流。光电流通过外加负载电阻RL后产生电压信号输出。光敏二极管原理如图〔9〕所示。

在无光照的状况下，假设给P—N结一个适当的反向电压，则反向电压加强了内建电场，使P—N结空间电荷区拉宽，势垒增大，流过P—N结的电流〔称反向饱和电流或暗电流〕很小，它〔反向电流〕是由少数载流子的漂移运到形成的。当光敏二极管被光照时，满足条件hv≧Eg时，则在结区产生的光生载流子将被内场拉开，光生电子被拉向N区，光生空穴被拉向P区，于是在外加电场的作用下以少数载流子漂移运动为主的光电流。明显，光电流比无光照时的反向饱和电流大得多，假设光照越强，表示在同样条件下产生的光生载流子越多，光电流就越大，反之，则光电流越小。当二极管与负载电阻RL串联时，则在RL的两端便可得到随光照度变化的电压信号，从而完成了将光信号转变成电信号的转换。

光敏二极管在无光照时，在所加反向电压作用下，仍会有反向电流流过，这种电流的数值很小，称为暗电流。暗电流值是光敏二极管传感器的重要参数之一，它影响光敏二极管的光电变换质量和工作稳定性，因此期望它数值越小越好。

在无辐射作用的状况下，PN结硅光敏二极管的正、反向特性与一般PN结二极管根本一样，均为图〔10〕所示的伏安特性曲线，当有光照时，PN结硅光敏二极管的反向输出特性曲线如图〔11〕所示。图〔12〕所示为典型光电二极管的短路电流—光照度特性曲线。

定义光敏二极管的光谱响应为以等功率的不同单色辐射波长的光作用于光敏二极管时，其电流灵敏度或响应程度与波长的关系为光谱响应，图〔13〕为光敏二极管的光谱特性曲线。

光敏二极管传感器的短路光电流也是随环境温度而有微小转变的。温度上升，短路光电流也随之均增大。

三．试验所需部件：

光敏二极管、直流稳压电源、负载电阻(试验选配单元中可变电阻)、遮光罩、光源、数字电压／频率表(自备41/2位万用表).、微安表〔或自备41/2位万用表上的200mA 档〕、照度计〔自备或另购〕

四．试验步骤：

１．按图〔14〕接线,要留意光敏二极管是工作在反向工作电压的，由于硅光敏二极管的反向电流格外小，所以应视试验状况逐步提高工作电压，如有必要可用稳压电源上的±10V或

±12V串接。２．光敏二极管的暗电流测试，用遮光罩盖住光敏二极管，选择适宜的电路反向工作电压,选择适当的负载电阻。翻开仪器电源，调整负载电阻值，微安表显示的电流值即为暗电流，或用41/2位万用表200mV档测得负载电阻R上的压降U暗，则暗电流I暗=U暗/R。一般锗光敏二极管的暗电流要大于硅光敏二极管暗电流数十倍，可在试件插座上更换其他光敏二极管进展测试做性能比较。３．光敏二极管的光电流测试，缓慢揭开遮光罩，观看微安表上的电流值的变化,〔也可将照度计探头置于光敏二极管同一感光处，观看当光照强度变化时间敏二极管光电流的变化〕

４．光敏二极管的伏安特性测试，按图(14)连接试验线路,光源选用高亮度卤素灯,分别调整至“弱光”、“中光”和“强光”三种照度，负载电阻用万用表确定阻值1K欧姆，将可调光源调至一种照度，每次在该照度下，测出加在光敏二极管上的各反向偏压与产生的光电流的关系数据，其中光电流〔1KΩ为取样电阻〕，在三种光照度下重复上述试验。或是用41/2位万用表200mv

４．光敏二极管的伏安特性测试，按图(14)连接试验线路,光源选用高亮度卤素灯,分别调整

至“弱光”、“中光”和“强