（正式版）-B-T 42274-2022 氮化铝材料中痕量元素（镁、镓）含量及分布的测定 二次离子质谱法.docxVIP

ICS77.040

CCSH17

中华人民共和国国家标准GB/T42274—2022

氮化铝材料中痕量元素(镁、镓)含量及

分布的测定二次离子质谱法

Determinationofthecontentanddistributionoftraceelements(magnesium,

gallium)inaluminumnitridematerials—Secondaryionmassspectrometry

2022-12-30发布

2023-04-01实施

国家市场监督管理总局国家标准化管理委员会

发布

I

GB/T42274—2022

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定

起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准

化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。

本文件起草单位：北京科技大学、中国科学院半导体研究所、有色金属技术经济研究院有限责任公

司、中国科学院青海盐湖研究所、青海圣诺光电科技有限公司。

本文件主要起草人：齐俊杰、魏学成、闫丹、李素青、卫喆、胡超胜、李志超、许磊、王军喜、李晋闽、

魏明、刘江华、张成荣。

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GB/T42274—2022

氮化铝材料中痕量元素(镁、镓)含量及

分布的测定二次离子质谱法

1范围

本文件描述了氮化铝单晶中痕量镁和镓含量及分布的二次离子质谱测试方法。

本文件适用于氮化铝单晶中痕量镁和镓含量及分布的定量测定，测定范围为镁、镓的含量均不小于

1×101?cm-3,元素含量(原子个数百分比)不大于1%。

注：氮化铝单晶中待测元素的含量以每立方厘米中的原子个数计。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于

本文件。

GB/T14264半导体材料术语

GB/T22461表面化学分析词汇

GB/T25186表面化学分析二次离子质谱由离子注入参考物质确定相对灵敏度因子

GB/T32267分析仪器性能测定术语

3术语和定义

GB/T14264、GB/T22461、GB/T25186、GB/T32267界定的术语和定义适用于本文件。

4方法原理

在高真空(真空度优于10-7Pa)条件下，氧离子源产生的一次离子，经过加速、纯化、聚焦后，轰击氮化铝样品表面，溅射出多种粒子，将其中的二次离子引出，通过质谱仪将不同质荷比的离子分开，记录样品中待测元素2+Mg、Ga和基质元素??Al的离子计数率之比。利用相对灵敏度因子定量分析并计算出

氮化铝单晶中待测元素的含量。

5干扰因素

5.1样品表面吸附的镁和镓可能影响其含量的测试结果，整个操作过程中应避免样品与外界过多的接触，在放入腔体前用干燥氮气吹净。

5.2二次离子质谱仪存在记忆效应，若测试过镁和镓含量较高的样品，仪器样品腔内可能会残留镁和镓，影响镁和镓含量的测试结果。

5.3仪器型号不同或者同一仪器的状态(例如一次离子束的束流密度、聚焦状态、电子倍增器效率、视场光阑以及对比光阑大小、分析腔真空度等)不同，会影响本方法的检出限。

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GB/T42274—2022

5.4样品架窗口范围内的样品分析面应平整，以保证每个样品移动到分析位置时，其表面与离子收集光学系统的倾斜度不变，否则会降低测试的准确度。

5.5测试的准确度随着样品的表面粗糙度增大而显著降低，对于不平整样品，应通过对样品表面化学机械抛光或者化学腐蚀抛光降低表面粗糙度。

5.6标准样品中镁和镓的含量偏差会导致测试结果偏差。

5.7标准样品中镁和镓的含量不均匀性会影响测试结果的准确性。

6试验条件

温度范围为19℃~23℃,相对湿度为30%～75%。

7仪器设备

二次离子质谱仪(SIMS):应配备有氧离子源，具有分析筛选二次离子的能力，配备能检测正负二次

离子的电子倍增器和法拉第杯，仪器分析腔的真空度优于9×10-7Pa,仪器质量分辨率应优于2000。

样品架应使样品的分析面处于同一平面并垂直引出电场。

8样品

8.1通用要求

样品的分析面应平坦光滑，表面粗糙度(Ra)不大于2nm。样品边长为6mm～10mm,总厚度为

0.5mm～