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[二]ITO图形制备工艺

[二]ITO图形制备工艺

透明导电氧化物薄膜主要包括号In、Zn、Sb和Cd的氧化物及其

复合多元氧化物薄膜材料，具有禁带宽、可见光谱区光透射率高

和电阻率低，对紫外线的吸收率大于85%,对红外线的反射率大

于70%等特性。透明导电薄膜以掺锡氧化铟（IndiumTinOxinde）

ITO为代表，广泛地应用于平板显示、太阳能电池、特殊功能窗

口涂层及其它光电器件领域，它的特性是当厚度降到1800埃(1

埃=10－10米)以下时会突然变得透明，透光率为80％，再薄

下去透光率反而下降，到300埃厚度时又上升到80％。ITO是所

有电阻技术触屏及电容技术触摸屏都用到的主要材料，实际上电

阻和电容技术触摸屏的工作面就是ITO涂层。

一、ITO的特性

ITO就是在In2O3里掺入Sn后，Sn元素可以代替In2O3晶格中

的In元素而以SnO2的形式存在，因为In2O3中的In元素是三

价，形成SnO2时将贡献一个电子到导带上，同时在一定的缺氧

状态下产生氧空穴，形成1020至1021cm-3的载流子浓度和10

至30cm2/vs的迁移率。这个机理提供了在10-数量级的低

薄膜电阻率，所以ITO薄膜具有半导体的导

性能。

目前ITO膜层之电阻率一般在5*10-4左右，最好可达5*10-5，

已接近金属的电阻率，在实际应用时，常以方块电阻来表征ITO

ITO膜之透过率和阻值分别由In2O3与Sn2O3之

比例控制，增加氧化锢比例则可提高ITO之透过率，通常Sn2O3：

In2O3=1：9因为氧化锡之厚度超过200?时，通常透明度已不够

好--虽然导电性能很好。

如用是电流平行流经ITO脱层的情形，其中d为膜厚，I为电流，

L1为在电流方向上膜厚层长度，L2为在垂直于电流方向上的膜

层长主，当电流流过方形导电膜时，该层电阻R=PL1/dL2式中P

为导电膜之电阻率，对于给定膜层，P和d可视为定值，P/d，当

L1=L2时，其正方形膜层，无论方块大小如何，其电阻均为定值

P/d，此即方块电阻定义：，式中R□单位为：奥姆/□（Ω/□），

由此可所出方块电阻与IOT膜层电阻率P和ITO膜厚d有关且

ITO膜阻值越低，膜厚越大。

ITO膜层的电阻对高温和酸碱比较敏感，因为通常的电子产品生

产工艺中要使用高温烘烤及各种酸碱液的浸泡，而一般在300°C

*30min的环境中，会使R□增大2-3倍，而在10wt%NaOH*5min

及6wt%HCL*2min（60°C）下也会增到1.1倍左右，由此可知，

在生产工艺中不宜采用高温生产及酸碱的长时清洗，若无法避

免，则应尽量在低温下进行并尽量缩短动作时间。

ITO膜在电子行业应用中，除了作为电子屏蔽、紫外线吸收阻

断、红外线反射阻断等应用外，还有一大应用就是在平板显示器

领域作为透明电极线路使用，利用ITO膜制作透明电极线路的方

法主要为化学蚀刻、激光刻蚀两种。

ITO膜的制作方式

1、真空磁控溅射镀膜。

ITO磁控溅射示意图

溅射过程中，在高氧流量的情况下，从靶材中轰击出的金属In、

Sn原子在真空室内或衬底表面能充分和氧反应生成In2O3和

SnO2

2、真空蒸镀。

上世纪八十年代初的技术，基本已淘汰。

3、溶胶－凝胶法

这种方式不适合用于量产，目前仅用于一些科研机构分析使用。

4、丝印或喷墨打印法

目前仅日本住友有丝印法的实用技术，用于该公司自有产品上使

用，据说品质上要比传统方式好些。一般微晶ITO粉剂制剂用丝

印方式生产较合理，纳米级ITO粉剂制剂则可以使用喷墨找印

法。

这种方式无疑在生产效率上是最高的，在绝大部分场合，省去了

后面的刻蚀工序，直接生产所需要的ITO透明电极图形，是以后

的主要研究和发展方向。

5、半导体制程之Lift-off作法

可以另外在PET薄膜基材上先进行印刷负型图案，接着进行ITO

镀膜，最后将印刷油墨去除。

三、化学蚀刻法进行ITO