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第三章热电检测器件特点：1响应与波长无关nn2响应速度比较慢n3探测率低n

温差电型热敏电阻型气动型热电探测器件热释电型

热探测器件的共性n入射吸收温升热变换损失t=0热敏材料的时间常数

温升正比于入射功率频率越大温升越小

最小可探测功率n

它所辐射的总通量为W=AασT4（其中σ为斯忒藩-波耳兹曼0常数，T为温度）。如果探测器温度有一个微小的增量dT，则总辐射通量的增量为4AασT3dT。所以，只由辐射交换所产生的热导G为QG＝4AασT3Q取Δf＝1，α＝1NEP＝(16AσkT5）1/2

此式表示了热电探测器件可能达到的最佳性能。NEP＝(16AσkT5）1/2式中，σ＝5.67×l0-12W·cm-2·K-4；k＝1.38×10-23·K-1。若假定A＝1cm；T＝290K，则2NEP＝5.1×l0-11W此值可作为衡量实际探测器性能的比较基准。

二、热电偶和热电堆构造和原理n辐射热电偶

入射热敏材料的时间常数,RCG分别为Q、Q、Q器件的热阻、热容和热导。f为交流辐射调制频率热导G，与材料性质和周围环境有关，为了使热导Q稳定，常常抽成真空，所以热电偶通常称真空热电偶。

参数nn响应率直流交流

响应时间nnNEP

热电堆n

几种不致冷的热电探测器的性能1-样品2、6-温差电堆3-高莱元件4-红外传感元件5-硫酸三甘肽热释电探测器7-热敏电阻8-钽酸锂热释电探测器9-铌酸钦热释电探测器10-陶瓷热释电探测器11-薄膜测热辐射计

三、热敏电阻（测辐射热计）结构和原理n

热敏电阻同光敏电阻十分相似，为了提高输出信噪比，必须减小其线度。但为了不使接收辐射的能力下降，有时也用浸没技术，以提高探测度。

参数n电阻温度特性（1/℃）

阻值变化量n

输出特性n热敏电阻的输出电路

热阻n

响应率n

1）v不能很大，因i若较大，产生的焦耳热会使元件温度提高，如果αT是负，还可能因为R变小而产生破坏性的热击穿。T2）为了提高α，要使灵敏面表面黑化。3）为了减小G，可使接收元件装在一个真空的外壳里。4）α决定于材料。T5）由于要求放大器的输入阻抗要远大于R，这就限T制了R不能任意的大。T

最小可探测功率n-8-910—10W

四、超导、碳与锗测辐射热计超导测辐射热计n50um—1mm碳测辐射热计40umnn锗测辐射热计1000um

四、热释电探测器

特点n(1)热敏探测器是宽波段响应的，但探测率比较低。光电类探测器的探测率(灵敏度)较高，但响应波长有限，而且在光电类探测器中，响应波长越长，则探测率越低，这是响应波长与探测率之间的矛盾。(2)热敏类探测器的探测率越高，反应就越慢。光导型探测器也有同样的矛盾。热释电探测器：响应时间不再取决于通常热敏片的温度上升过程。而取决于对入射辐射的切割速度，当然这种矛盾的解决是有限度的，入射辐射的调制频率升高，探测率仍然要下降，但是要比其它热电探测器慢得多。响应时间10-9S，但此时NEP高。只有在10Hz的调制频率下才能得到NEP=5*10-10W

热释电探测器的优点1速度工作频率几百千赫n2探测率高n3不需外加偏置电压，灵敏面大均匀n4受环境温度变化的影响小n5强度和可靠性好n

原理n热释电效应n某些物质(例如硫酸三甘肽、铌酸锂、铌酸锶钡等晶体)吸收光辐射后将其转换成热能，这个热能使晶体的温度升高，温度的变化又改变了晶体内晶格的间距．这就引起在居里温度以下存在的自发极化强度的变化，从而在晶体的特定方向上引起表面电荷的变化，这就是热释电效应居里温度n自发极化n

测交变辐射n热电晶体在温度变化时所显示的热电效应示意图a)恒温下b)温度变化时c)温度变化时的等效表现

自发极化强度Psn

热释电晶体吸收频率为ω的辐射以后，其温度进而其自发极化强度也按频率ω而变化，从而导致晶体表面电荷密度也按频率ω而变化。在晶体的相对两面敷上电极，如果在两电极之间接上负载，则负载上就有电流流过。由入射的交变辐射在热释电晶体中产生的电流可表示为

而与晶体和入射辐射达到平衡的时间无关。γ值取决于材料本身的特性；而温度变化率与材料的吸收率和热容有关，吸收率愈大，热容愈小，则温度变化率就愈大。

等效电路n热释电器件的等效电路VSτ为热时间常数，τ=C/G；τ为电路时间常数，τ=CR，R=R∥R，TTHeEsLC=C＋C。τ、τ的数量级为0.1～10s左右sLET

参数n响应率

RL1RRL2L3

噪声、信噪比和噪声等效功率n热释电探测器的噪声等效功率NEP与它的噪声有关。热释电探测器的噪声主要来自温度噪声和热噪声。(1)温度噪声

可以看出，温度噪声与频率的关系和响应率Rv与频率的关系相同，亦即温度噪声的频谱与热释电探测器的频率响