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半导体物理问答题

-CAL-FENGHAI-(2023YEAR-YICAI)_JINGBIAN

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第一篇 习题半导体中的电子状态

、什么叫本征激发温度越高，本征激发的载流子越多，为什么试定性说明之。

、试定性说明Ge、Si的禁带宽度具有负温度系数的缘由。

、试指出空穴的主要特征。

、简述Ge、Si和GaAS的能带构造的主要特征。

、某一维晶体的电子能带为

E(k)?E

?1?0.1cos(ka)?0.3sin(ka)?

0

其中E0=3eV，晶格常数a=5х10-11m。求：

能带宽度；

能带底和能带顶的有效质量。

第一篇 题解半导体中的电子状