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数字电子技术基础
主讲人：侯建军教授
北京交通大学电子信息工程学院
第五节NMOS逻辑门电路
一、NMOS反相器
二、NMOS门电路
第五节NMOS逻辑门电路
2
前面介绍的TTL、ECL和IL采用的都是双极型晶体管，两种载流子参与导电，
称为双极型集成电路。
本节介绍只有一种载流子参与导电的单极型逻辑门电路——MOS集成电路。
MOS集成电路主要包括NMOS、PMOS以及CMOS电路。
电路具有以下特点：
制造工艺简单、成品率高、功耗低、集成度高、抗干扰能力强，适合大规模集
成电路。
MOS管的开关特性
数字逻辑电路中的MOS管均是增强型MOS管，特点如下：
当|U||U|时，管子导通，导通电阻很小，D、S之间相当于开关闭合。
GST
当|U||U|时，管子截止，D、S之间相当于开关断开。
GST
NMOSPMOS
一、NMOS反相器
设电源电压U=10V，开启电压
DD
U=U=2V。
T1T2
1.A输入高电平UIH=8V
T、T均导通，输出低电平负载管
12
U≈0.3V。
OL
2.A输入低电平UIL=0.3V
T截止、T导通，输出高电平
12
U=U-U=8V。
OHDDT2驱动管
结论：电路执行逻辑非功能。
二、NMOS门电路
（一）NMOS与非门
1.当两个输入端A和B均接高电平时，
负载管
驱动管
串联
二、NMOS门电路
（一）NMOS与非门
1.当两个输入端A和B均接高电平时，
T和T都导通，输出低电平。
12
0
通
1
通
1
二、NMOS门电路
（一）NM
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