贵金属键合丝热影响区长度测定 扫描电镜法 征求意见稿.pdf

GB/TXXXXX-202X

贵金属键合丝热影响区长度的扫描电镜测定方法

1范围

本文件规定了各类贵金属键合丝热影响区长度的扫描电镜测量方法。

本文件适用于各类贵金属键合丝的热影响区长度测量。方法一适用于键合金丝热影响区

长度的测量。方法二适用于直径不超过50μm的纯金属、合金或复合类贵金属键合丝的热影

响区长度测量。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期

的引用文件，仅该日期的版本适用于本文件。不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有

的修改单）适用于本文件。

GB/T16594微米级长度的扫描电镜测量方法通则

GB/T21636微束分析电子探针显微分析（EPMA）术语

GB/T38783-2020贵金属复合材料覆层厚度的扫描电镜测定方法

GB/T40300微束分析分析电子显微学术语

3术语和定义

GB/T21636、GB/T40300所界定的术语及下列术语和定义适用于本文件。

3.1

自由空气球freeairball;FAB

在引线键合烧球阶段，高压电弧击穿空气并放出大量的热，使键合丝末端熔化，并在表

面张力的作用下形成的一个金属圆球。

3.2

热影响区heataffectedzone;HAZ

在引线键合烧球过程中，高温熔化键合丝末端形成FAB，同时热量传导使键合丝近FAB

区域发生再结晶及晶粒长大现象，这部分区域称为热影响区。

3.3

电子通道衬度electronchannelingcontrast

当电子束轰击晶体样品时，入射电子束与各晶面的夹角不同造成晶格对电子的反射程度

不同，从而对二次电子和背散射电子的产额产生影响，在图像上显示为反映材料表面晶体取

向的明暗衬度。

3.4

聚焦离子束focusedionbeam;FIB

将液态金属离子源（Ga离子），通过离子枪加速、电磁透镜聚焦后形成的离子束流。

3.5

双束电子显微镜dualbeamelectronmicroscope

3

GB/TXXXXX-202X

由聚焦离子束与扫描电子显微镜结合而成的双束（电子束/离子束）系统。

3.6

气体注入系统gasinjectionsystem;GIS

在双束电子显微镜中，通过注入各类气体化合物来辅助完成沉积或增强刻蚀的系统。

3.7

离子束成像Ionbeamimaging

聚焦离子束轰击样品表面激发二次电子、中性原子、二次离子和光子等信号，通过收集

这些信号能够使离子束成像，显示材料表面形貌。

3.8

等轴晶粒Equiaxedgrain

在各方向上尺寸相差较小的晶粒。

3.9

条带状组织Bandedstructure

金属丝材沿着拉拔方向严重变形后形成的平行于拉拔方向的条带状变形组织。

3.10

长晶粒Longgrain

形态介于等轴晶粒与形变条带组织之间的长条状非等轴晶粒。通常其长径比大于2且

小于15。

4方法一直接观察法

4.1原理

通过扫描电镜背散射模式的电子通道衬度成像，获得键合金丝表面的晶粒组织图片，从

而测定HAZ长度。

4.2仪器设备

扫描电镜：背散射电子像分辨率优于20nm；设备需进行长度测量校准。

4.3试验步骤

4.3.1样品安装

将烧球后的键合金丝（或含键合金丝的芯片样品）用导电胶水平粘接在平面样品台上，

将贴有样品的平面样品台置于样品仓并抽真空。

4.3.2电镜观察与拍照

使用扫描电镜的背散射模式观察样品。选取表面清洁且无机械损伤的区域，将样品移动

到视野中心。调整电镜参数，聚焦、消除像散并拍照，获得清