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1闩锁效应

闩锁效应是指CMOS器件所固有的寄生双极晶体管被触发导通，在电源和地之间存在一

个低阻通路，大电流，导致电路无法正常工作，甚至烧毁电路

2闩锁效应机理

2.1器件级别上

图1CMOS结构图

如图1所示，CMOS发生闩锁效应时，其中的NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS

的有源区构成一个n-p-n-p的结构，即寄生晶体管，本质是寄生的两个双极晶体管的连接。

P衬是NPN的基极，也是PNP的集电极，也就是NPN的基极和PNP的集电极是连着的；

N阱既是PNP的基极，也是NPN的集电极。再因为P衬底和N阱带有一定的电阻，分别

用R1和R2来表示。

当N阱或者衬底上的电流足够大，使得R1或R2上的压降为0.7V，就会是Q1或者Q2

开启。例如Q1开启，它会提供足够大的电流给R2，使得R2上的压降也达到0.7V，这样

R2也会开启，同时，又反馈电流提供给Q1，形成恶性循环，最后导致大部分的电流从VDD

直接通过寄生晶体管到GND，而不是通过MOSFET的沟道，这样栅压就不能控制电流1。

2.2集总元件上

图1中的寄生晶体管连接关系可以用集总元件来表示，如图2所示，其结构实际上是一个

双端PNPN结结构，如果再加上控制栅极，就组成门极触发的闸流管。该结构具有如图3

所示的负阻特性，该现象就称为闩锁效应（闩锁本是闸流管的专有名词）。即双端PNPN结

V

在正向偏置条件下，器件开始处于正向阻断状态，当电压达到转折电压BF时，器件会经过

I

负阻区由阻断状态进入导通状态．这种状态的转换，可以由电压触发(g=0)，也可以由门

I

极电流触发(g≠O)。门极触发大大降低了正向转折电压。

个条件。在浓度上，由前面的论述可知，R越小，越不容易发生闩锁效应，所以重掺杂可有

效的减小闩锁效应的发生。

3.2器件的结构

SOI结构有效的阻止了电子和空穴从源到地之间的通路，能从根本上消除闩锁的发生。

RetrogradedWell，倒阱，用高能离子注入将杂质打入阱底部，使得阱底浓度最高，阱表面

浓度最低，高浓深阱可以有效的增加复合，减少到达底部的电子浓度。

4闩锁效应触发条件

4.1产生条件

①电路要能进行开关转换，其相关的PNPN结构的回路增益必须大于1。

②必须存在一种偏置条件，使两只双极型晶体管导通的时间足够长。以使通过阻塞结

的电流能达到定义的开关转换电流的水平。一般来说，双极管的导通都是由流过一

个或两个发射极／基极旁路电阻的外部激发电流所引起的。

③偏置电源和有关的电路，必须能够提供至少等于PNPN结构脱离阻塞态所需的开关转

换电流和必须能提供至少等于使其达到闩锁态的保持电流。

4.2触发方式

①输入或输出节点的上冲或下冲的触发，使第一个双极型晶体管导通，然后再使第二

个双极型晶体管导通。当流入寄生PNPN结构的总电流达到开关转换电流时，闩锁就

发生。

RR

②当流过阱一衬底结的雪崩电流、光电流及位移电流，同时通过两个旁路电阻W、S

时，旁路电阻较大的晶体管先导通。然而要使闩锁发生，第二个双极型晶体管必须

导通。同时通过PNPN结构的总电流必须达到开关转换电流。

③穿通、场穿通或漏结雪崩的电流，给PNPN结构的电流达到取消被激发晶体管旁路电

阻形成的三极管结构计算的开关转换电流时，至少会发生瞬时闩锁，若总电流也能

达到四极管结构开关转换电流，即闩锁将维持下去4。

5HPM定义