半导体专业英语.docx

acceptancetesting(WAT:waferacceptancetesting)

acceptor:受主，如B，掺入Si中需要承受电子3.ACCESS：EDA〔EngineeringDataAnalysis〕系统4.Acid：酸

Activedevice：有源器件，如MOSFET〔非线性，可以对信号放大〕

Alignmark(key)：对位标记7.Alloy：合金8.Aluminum：铝9.Ammonia：氨水

10.Ammoniumfluoride：NH4F11.Ammoniumhydroxide：NH4OH

12.Amorphoussilicon：α-Si，非晶硅〔不是多晶硅〕13.Analog：模拟的

Angstrom：A〔1E-10m〕埃

Anisotropic：各向异性〔如POLYETCH〕

AQL(AcceptanceQualityLevel)：承受质量标准，在肯定采样下，可以95%置信度通过质量标准〔不同于牢靠性，牢靠性要求肯定时间后的失效率〕

ARC(Antireflectivecoating)：抗反射层〔用于METAL等层的光刻〕

Antimony(Sb)锑19.Argon(Ar)氩20.Arsenic(As)砷

21.Arsenictrioxide(As2O3)三氧化二砷22.Arsine(AsH3)23.Asher：去胶机

24.Aspectration：形貌比〔ETCH中的深度、宽度比〕25.Autodoping：自搀杂〔外延时SUB

的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层〕

26.Backend：后段〔CONTACT以后、PCM测试前〕27.Baseline：标准流程28.Benchmark：基准29.Bipolar：双极

Boat：集中用〔石英〕舟

CD：〔CriticalDimension〕临界〔关键〕尺寸。在工艺上通常指条宽，例如POLYCD为多晶条宽。32.Characterwindow：特征窗口。用文字或数字描述的包含工艺全部特性的一个方形区域。33.Chemical-mechanicalpolish〔CMP〕：化学机械抛光法。一种去掉圆片外表某种物质的方法。34.Chemicalvapordeposition〔CVD〕：化学汽相淀积。一种通过化学反响生成一层薄膜的工艺。35.Chip：碎片或芯片。

36.CIM：computer-integratedmanufacturing的缩写。用计算机掌握和监掌握造工艺的一种综合方式。37.Circuitdesign：电路设计。一种将各种元器件连接起来实现肯定功能的技

术。38.Cleanroom：一种在温度，湿度和干净度方面都需要满足某些特别要求的特定区域。39.Compensationdoping：补偿掺杂。向P型半导体掺入施主杂质或向N型掺入受主杂质。

40.CMOS：complementarymetaloxidesemiconductor的缩写。一种将PMOS和NMOS在同一个硅衬底上混合制造的工艺。41.Computer-aideddesign〔CAD〕：计算机关心设计。

42.Conductivitytype：传导类型，由多数载流子打算。在N型材料中多数载流子是电子，在P型材料中多数载流子是空穴。43.Contact：孔。在工艺中通常指孔1，即连接铝和硅的孔。

44.Controlchart：掌握图。一种用统计数据描述的可以代表工艺某种性质的曲线图表。45.Correlation：相关性。

Cp：工艺力量，详见processcapability。

Cpk：工艺力量指数，详见processcapabilityindex。

Cycletime：圆片做完某段工艺或设定工艺段所需要的时间。通常用来衡量流通速度的快慢。

Damage：损伤。对于单晶体来说，有时晶格缺陷在外表处理后形成无法修复的变形也可以叫做损伤。50.Defectdensity：缺陷密度。单位面积内的缺陷数。

Depletionimplant：耗尽注入。一种在沟道中注入离子形成耗尽晶体管的注入工艺。〔耗尽晶体管指在栅压为零的状况下有电流流过的晶体管。〕

Depletionlayer：耗尽层。可动载流子密度远低于施主和受主的固定电荷密度的区域。53.Depletionwidth：耗尽宽度。53中提到的耗尽层这个区域的宽度。

54.Deposition：淀积。一种在圆片上淀积肯定厚度的且