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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利说明书
(10)申请公布号CN101958255A
(43)申请公布日2011.01.26
(21)申请号CN201010143185.3
(22)申请日2010.03.29
(71)申请人台湾积体电路制造股份有限公司
地址中国台湾新竹市
(72)发明人杨固峰吴文进邱文智王宗鼎
(74)专利代理机构隆天国际知识产权代理有限公司
代理人姜燕
(51)Int.CI
H01L21/50
H01L21/68
H01L21/78
H01L25/00
权利要求说明书说明书幅图
(54)发明名称
超薄晶片加工处理的方法及薄晶片
加工处理的产品
(57)摘要
本发明公开了一种超薄晶片加工处
理的方法及薄晶片加工处理的产品,该方
法包括下列步骤:提供一晶片,其具有多
个半导体芯片,该晶片具有一第一侧以及
一第二侧;使多个裸晶附着于该晶片的该
第一侧,其中所述多个裸晶的其中之一接
合于所述多个半导体芯片的其中之一;提
供一晶片载盘,该晶片载盘附着于该晶片
的该第二侧;以一平面支持层封装该晶片
的该第一侧以及所述多个裸晶;使一第一
粘着带附着于该平面支持层。本发明可得
到较高的合格率以及较低的损坏率。
法律状态
法律状态公告日法律状态信息法律状态
权利要求说明书
1.一种超薄晶片加工处理的方法,其特征在于包括下列步骤:
提供一晶片,其具有多个半导体芯片,该晶片具有一第一侧以及一第二侧;
使多个裸晶附着于该晶片的该第一侧,其中所述多个裸晶的其中之一接合于所述多
个半导体芯片的其中之一;
提供一晶片载盘,该晶片载盘附着于该晶片的该第二侧;
以一平面支持层封装该晶片的该第一侧以及所述多个裸晶;以及
使一第一粘着带附着于该平面支持层。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于该晶片载盘包括一硅基材、玻璃基材、高
分子基材、高分子基复合基材或厚带。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于借由从包含粘着接合、卷带接合以及树脂
接合的群组中选择一种方法,使该晶片载盘附着于该晶片的该第二侧。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于借由从包含裸晶接合、锡焊凸块、氧化层
对氧化层接合、氧化层对硅接合、铜对铜接合、粘着剂接合、由氧化层对氧化层接
合的融熔接合以及胶质接合,例如苯并环丁烯的群组中选择一种方法,使所述多个
裸晶附着于该晶片的该第一侧。
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于该支持层包括聚乙二醇、蜡、高分子、或
高分子基材料。
6.如权利要求1所述的方法,其特征在于以该平面支持层封装该晶片的该第一侧以
及所述多个裸晶的方式包括旋转涂布或印刷。
7.如权利要求1所述的方法,其特征在于该第一粘着带包括一切割带或一紫外线带。
8.如权利要求1所述的方法,其特征在于还包括下列步骤:
将该晶片载盘从该晶片移除;以及
将该晶片切割成个别的半导体封装。
9.如权利要求8所述的方法,其特征在于还包括下列步骤:
将一第二粘着带附着于该晶片的该第二侧;
移除该第一粘着带;
移除该平面支持层;以及
移除该第二粘着带。
10.如权利要求8所述的方法,其特征在于该第二粘着带包括一切割带或一紫外线
带。
11.如权利要求1所述的方法,其特征在于还包括下列步骤:
将该晶片载盘从该晶片移除;以及
将一第二粘着带附着于该晶片的该第二侧。
12.如权利要求11所述的方法,其特征在于该第二粘着带包括一切割带或一紫外线
带。
13.如权利要求11所述的方法,其特征在于还包括下列步骤:
移除该第一粘着带;
移除该平面支持层;以及
将该晶片切割成个别的半导体封装。
14.一种薄晶片加工处理的产品,该产品由权利要求8所述的方法制造。
15.一种薄晶片加工处理的产品,该产品由权利要求13所述的方法制造。
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