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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利说明书
(10)申请公布号CN1579011A
(43)申请公布日2005.02.09
(21)申请号C1
(22)申请日2003.03.19
(71)申请人财团法人地球环境产业技术研究机构;独立行政法人产业技术总合研究所
地址日本京都
(72)发明人坂井克夫大仓诚司坂村正二安部薰村田等和仁悦夫龟田贤治三井有规大
平丰米村泰辅関屋章
(74)专利代理机构上海专利商标事务所
代理人朱黎明
(51)Int.CI
H01L21/205
H01L21/31
C23C16/44
权利要求说明书说明书幅图
(54)发明名称
CVD设备以及使用CVD设备清洗
CVD设备的方法
(57)摘要
本发明的目的是提供一种CVD设
备中的清洗方法，它能够有效地除去副产
物如SiO
法律状态
法律状态公告日法律状态信息法律状态
专利权有效期届满IPC(主分
类):H01L21/205专利
2023-04-04号:ZL038014041申请专利权的终止
日权公告
日
权利要求说明书
Claim1.一种将反应气供应到反应室，并在所述反应室中提供的基底材料表面上
形成沉积薄膜的CVD设备，
其中用来使废气循环到所述反应室的废气循环通道安装在废气通道上，所述废气通
道可通过泵将气体从所述反应室内部排出。
Claim2.如权利要求1所述的CVD设备，其特征在于所述废气循环通道构造成可
使来自干燥气泵下游侧的废气循环到所述反应室中。
Claim3.如权利要求1或2所述的CVD设备，其特征在于所述废气循环通道安装
有用来吸附和除去废气中的非活性气体的聚合物薄膜装置。
Claim4.如权利要求1-3中任一项所述的CVD设备，其特征在于所述废气循环通
道安装有用来选择性除去非必要废气组分的分离器。
Claim5.如权利要求1-4中任一项所述的CVD设备，其特征在于所述废气循环通
道安装有用来提高废气压力以及将所述废气循环到所述反应室的压缩机。
Claim6.如权利要求1-5中任一项所述的CVD设备，其特征在于所述废气循环通
道安装有用来检测循环到所述反应室的废气的组分以及使所述气体组分保持恒定的
控制装置。
Claim7.如权利要求1-6中任一项所述的CVD设备，其特征在于所述废气循环通
道安装有压力释放装置，以在所述废气循环通道具有恒定压力或更大时释放压力。
Claim8.如权利要求1-7中任一项所述的CVD设备，其特征在于提供了开关所述
废气循环通道和反应气供应通道的开关装置，
当清洗气通过所述反应气供应通道输入所述反应室，以清洗所述反应室的内部时，
打开所述废气循环通道，以及
当在反应室中的基底材料表面上形成沉积薄膜时，通过所述开关装置进行开关控制，
以关闭所述废气循环通道。
Claim9.如权利要求8所述的CVD设备，其特征在于在进行清洗的初始阶段打开
所述反应气供应通道和所述废气循环通道，以及
在清洗开始后，通过所述开关装置进行开关控制，以关闭所述反应气供应通道，进
行所述清洗。
Claim10.如权利要求1-7中任一项所述的CVD设备，它还包括用来开关所述废
气循环通道和反应气供应通道的开关装置，
当清洗气通过间接等离子体生成装置输入所述反应室，从而清洗所述反应室的内部
时，如果需要的话，打开废气循环通道，以及
当在所述反应室的基底材料表面上
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