用于制造具有导电通孔的硅载体的方法及其制造的半导体.pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN101217118A

(43)申请公布日2008.07.09

(21)申请号CN200710165838.6

(22)申请日2007.11.05

(71)申请人国际商业机器公司

地址美国纽约

(72)发明人J·U·尼克博克H·德利吉安尼V·S·巴斯克J·M·科特K·T·科维特尼亚克

(74)专利代理机构北京市中咨律师事务所

代理人于静

(51)Int.CI

H01L21/48

H01L21/60

H01L23/488

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

用于制造具有导电通孔的硅载体的

方法及其制造的半导体

(57)摘要

提供了用于制造具有导电通孔的硅

载体的方法，其允许高产量制造低缺陷密

度的硅载体。具体而言，提供了这样的方

法，其对于小于10微米到大于300微米的

垂直厚度能够制造具有例如1到10微米的

直径的过孔直径的硅载体，其对于制造期

间的热机械应力足够坚固以显著地最小化

在过孔侧壁界面处的硅、绝缘体、衬里以

及导体材料之间的热机械移动。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1.一种用于在半导体基板中制造导电过孔结构的方法，包括以下步骤：

在半导体基板中形成过孔，其中所述过孔包括在所述半导体基板的第一表面上的开

放端、具有在其上形成的绝缘层的内部侧壁表面、以及具有第一导电材料的封闭端，

所述第一导电材料提供在所述过孔的所述封闭端的表面上形成的种子层；以及

进行电镀敷工艺以使用第二导电材料填充所述过孔从而使用电镀敷工艺形成导电过

孔，其中迫使镀敷电流仅流动通过所述过孔的所述封闭端的所述表面以便镀敷从所

述过孔的所述封闭端的所述表面上的所述种子层开始并向所述过孔的所述开放端前

进；以及

将电接触形成到所述导电过孔的每一端。

2.根据权利要求1的方法，其中形成所述过孔包括以下步骤：

在所述半导体基板的所述第一表面中将环形沟槽蚀刻到所述基板的所述第一表面之

下的深度d，其小于通过所述第一表面和相对所述第一表面的所述基板的第二表面

所限定的所述基板的厚度，其中所述环形沟槽围绕基板材料的内芯；

形成第一绝缘层以使用第一绝缘材料填充所述环形沟槽并覆盖所述基板的所述第一

表面；以及

构图在所述基板的所述第一表面上形成的所述第一绝缘层以暴露所述基板材料的内

芯；以及

向下蚀刻所述基板材料的内芯到所述基板的所述第一表面之下的所述深度d以形成

所述过孔，其中由所述第一绝缘材料形成所述侧壁表面上的所述绝缘层，并且其中

由基板材料限定所述过孔的所述封闭端的表面。

3.根据权利要求2的方法，还包括在所述第一绝缘层和所述封闭端表面之上形成保

形导电衬里，其中所述导电衬里包括作为所述种子层的所述第一导电材料。

4.根据权利要求3方法，其中填充所述过孔包括以下步骤：

在相对所述第一表面的所述半导体基板的所述第二表面上形成电接触；

通过将所述镀敷电流施加到所述电接触进行所述电镀敷工艺以用铜材料填充所述过

孔，

其中所述第一绝缘层阻止镀敷电流从所述基板流动通过所述基板的所述第一表面和

所述基板的侧壁。

5.根据权利要求4的方法，还包括：

凹入所述基板的所述第二表面以暴露在所述过孔的所述封闭端处形成的所述侧壁绝

缘层和导电衬里层；以及

在所述基板的所述凹入的第二表面上形成第二绝缘层。

6.根据权利要求1的方法，其中形成所述过孔包括以下步骤：

在所述半导体基板的所述第一表面中将封闭端过孔蚀刻到所述基板的所述第一表面

之下的深度d，其小于通过所述第一表面和相对所述第一表面的所述基板的第二表

面所限定的所述基板的厚度；

形成第一绝缘层以用第一绝缘材料覆盖所述基板的所述第一表面和所述过孔的侧壁

和封闭端表面；

将载体基板接合到接近所述过孔的开